【学術論文】

1.        M.-C. Jung, H. Kojima, I. Matsumura, H. Benten, and M. Nakamura:
Diffusion and influence on photovoltaic characteristics of p-type dopants in organic photovoltaics for energy harvesting from blue-light, Org. Electron. 52, 17-21 (2018.1).
DOI: 10.1016/j.orgel.2017.10.006

2.        M. Ito, T. Koizumi, H. Kojima, T. Saito, and M. Nakamura:
From materials to device design of a thermoelectric fabric for wearable energy harvesters, J. Mater. Chem. A 5 (24), 12068-12072 (2017.6).
DOI: 10.1039/C7TA00304H

3.        H. Kim, N. Yanagawa, A. Shimazaki, M. Endo, A. Wakamiya, H. Ohkita*, H. Benten, and S. Ito:
Origin of Open-Circuit Voltage Loss in Polymer Solar Cells and Perovskite Solar Cells, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (23) 19988–19997 (2017.5).
DOI: 10.1021/acsami.7b03694

4.        M. Osaka, D. Mori, H. Benten, H. Ogawa, H. Ohkita, and S. Ito:
Charge Transport in Intermixed Regions of All-Polymer Solar Cells Studied by Conductive Atomic Microscopy, ACS Appl. Mater. Interfaces 9 (18), 15615-15622 (2017.4).
DOI: 10.1021/acsami.7b00979

 

5.        M. Osaka, H. Benten, H. Ohkita, and S. Ito:
Intermixed Donor/Acceptor Region in Conjugated Polymer Blends Visualized by Conductive Atomic Microscopy, Macromolecules 50 (4), 1618-1625 (2017.2).
DOI: 10.1021/acs.macromol.6b02604

 

6.        Y. M. Lee, S. Y. Lee, T. Sasaki, K. Kim, D. Ahn, and M.-C. Jung*:
Two different phase-change origins with chemical- and structural-phase-changes in C doped (1.5 wt.%) In3Sb1Te2, Sci. Rep. 6, 38663 (6 pages) (2016.12).
DOI: 10.1038/srep38663

7.        J.-G. Yang, W.-L. Seah, H. Guo, J.-K. Tan, M. Zhou, R. Matsubara, M. Nakamura, R.-Q. Png, P.K.H. Ho, and L.-L. Chua:
Characterization of ohmic contacts in polymer organic field-effect transistors, Org. Electron. 37, 491–497 (2016.7).
DOI: 10.1016/j.orgel.2016.03.033

8.        Y. Nonoguchi, M. Nakano, T. Murayama, H. Hagino, S. Hama, K. Miyazaki, R. Matsubara, M. Nakamura, T. Kawai:
Simple Salt-coordinated n-Type Nanocarbon Materials Stable in Air, Adv. Funct. Mater. 26 (18), 3021-3028 (2016.5).
DOI: 10.1002/adfm.201600179

9.        H. Kojima, R. Abe, M. Ito, Y. Tomatsu, F. Fujiwara, R. Matsubara, N. Yoshimoto, M. Nakamura:
Giant Seebeck effect in pure fullerene thin films, Appl. Phys. Express 8 (12), 121301 (4 pages) (2015.11).
DOI: 10.7567/APEX.8.121301

10.      R. Matsubara, Y. Sakai, T. Nomura, M. Sakai, K. Kudo, Y. Majima, D. Knipp and M. Nakamura:
Quantitative investigation of the effect of gate-dielectric surface treatments on limiting factors of mobility in organic thin-film transistors, J. Appl. Phys. 118 (17), 175502 (9 pages) (2015.11).
DOI: 10.1063/1.4935024

 

11.      M. Nakamura, S.-G. Li, T. Ueda, K. Fujii, and R. Matsubara:
Potential Fluctuation of the Carrier Transporting Levels in Organic Field-Effect Transistors and Its Application to Terahertz-Wave Sensors, J. Vac. Soc. Jpn. 58 (3), 97-103 (2015.3).
DOI: 10.3131/jvsj2.58.97

 

12.      A. Risteska, S. Steudel, M. Nakamura, and D. Knipp :
Structural ordering versus energy band alignment: Effects of self-assembled monolayers on the metal/semiconductor interfaces of small molecule organic thin-film transistors, Org. Electron. 15 (12), 3723–3728 (2014.12).
DOI: 10.1016/j.orgel.2014.10.023

 

13.      M. Nakamura and R. Matsubara:
Carrier Mobility in Organic Thin-film Transistors: Limiting Factors and Countermeasures, J. Photopolym. Sci. Technol. 27 (3), 307-316 (2014.7).
DOI: 10.2494/photopolymer.27.307

14.      M. Ito, N. Okamoto, R. Abe, H. Kojima, R. Matsubara, I. Yamashita, and M. Nakamura:

Enhancement of Thermoelectric Properties of Carbon Nanotube Composites by Inserting Biomolecules at Nanotube Junctions, Appl. Phys. Express 7 (6), 065102 (4 pages) (2014.6).
DOI:10.7567/APEX.7.065102

 

15.      A. Risteska, K. Myny, S. Steudel, M. Nakamura, and D. Knipp :
Scaling Limits of Organic Digital Circuits, Org. Electron. 15 (2), 461–469 (2014.2).
DOI: 10.1016/j.orgel.2013.11.028

 

16.      M. Sakai, S. Kuniyoshi, H. Yamauchi, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
In-Situ Observation of Electric-Field-Induced Acceleration in Crystal Growth of Tetrathiafulvalene-Tetracyanoquinodimethane, J. Appl. Phys. 113 (15), 153513 (6 pages) (2013.4).
DOI: 10.1063/1.4802666

 

17.      A. Inoue, T. Okamoto, M. Sakai, S. Kuniyoshi, H. Yamauchi, M. Nakamura, and K. Kudo:
Flexible Organic Field-Effect Transistor Fabricated by Thermal Press Process, Phys. Status Solidi A 210 (7), 1353-1357 (2013.3).
DOI: 10.1002/pssa.201228776

18.      S.-G. Li, R. Matsubara, T. Matsusue, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura:
THz-Wave Absorption by Field-Induced Carriers in Pentacene Thin-Film Transistors for THz Imaging Sensors, Org. Electron. 14 (4), 1157-1162 (2013.3).
DOI: 10.1016/j.orgel.2013.02.003

19.      S. Yogev, R. Matsubara, M. Nakamura, U. Zschieschang, H. Klauk, and Y. Rosenwaks:
Fermi Level Pinning by Gap States in Organic Semiconductors, Phys. Rev. Lett. 110 (3), 036803 (5 pages) (2013.1).
DOI: 10.1103/PhysRevLett.110.036803

20.      A. Risteska, K.-Y. Chan, T.D. Anthopoulos, A. Gordijn, H. Stiebig, M. Nakamura, and D. Knipp:
Designing Organic and Inorganic Ambipolar Thin-Film Transistors and Inverters: Theory and Experiment, Org. Electron. 13 (12), 2816-2824 (2012.12).
DOI: 10.1016/j.orgel.2012.08.038

21.      M. Sakai, M. Hanada, S. Kuniyoshi, H. Yamauchi, M. Nakamura, and K. Kudo:
Gate-Induced Thermally Stimulated Current on the Ferroelectric-like Dielectric Properties of (BEDT-TTF)(TCNQ) Crystalline Field Effect Transistor, Crystals 2 (3), 730-740 (2012.6).
DOI: 10.3390/cryst2030730

22.      S.-G. Li, N. Nakayama, M. Sakai, K. Kudo, R. Matsubara, and M. Nakamura:
Orientational Control of Pentacene Crystals on SiO2 to Improve Lateral Carrier Transport, Org. Electron. 13 (5), 864-869 (2012.3).
DOI: 10.1016/j.orgel.2012.01.027

 

23.      S . Yogev, E. Halpern, R. Matsubara, M. Nakamura, and Y. Rosenwaks:
Direct Measurement of Density of States in Pentacene Thin Film Transistors, Phys. Rev. B 84 (16), 165124 (8 pages) (2011.10).
DOI
: 10.1103/PhysRevB.84.165124

24.      F. Pu, H. Yamauchi, H. Iechi, M Nakamura, and K. Kudo:
Organic Complementary Inverters Based on Step-Edge Vertical Channel Organic Field-Effect Transistors, Appl. Phys. Express 4
(5), 054203 (3 pages) (2011.4).
DOI: 10.1143/APEX.4.054203

25.      M. Sakai, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Visible Effects of Static Electric Field on Physical Vapor Growth of Lead Phthalocyanine Crystals, J. Appl. Phys. 109
(5), 054309 (7 pages) (2011.3).
DOI:10.1063/1.3553859

26.      K. Kikuchi, F. Pu, H. Yamauchi, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
CMOS Circuits Based on a Stacked Structure Using Silicone-Resin as Dielectric Layers, IEICE Trans. Electron. E94-C (2), 136-140 (2011.2).
DOI: 10.1587/transele.E94.C.136

27.      R. Matsubara, M. Sakai, K. Kudo, N. Yoshimoto, I. Hirosawa, and M. Nakamura:
Crystal Order in Pentacene Thin Films Grown on SiO2 and Its Influence on Electronic Band Structure, Org. Electron. 12 (1), 195-201 (2011.1).
DOI:10.1016/j.orgel.2010.10.024

28.      S. Yogev, R. Matsubara, M. Nakamura, and Y. Rosenwaks:
Local Charge Accumulation and Trapping in Grain Boundaries of Pentacene Thin Film Transistors, Org. Electron. 11 (11), 1729-1735 (2010.10).
DOI:10.1016/j.orgel.2010.07.021

29.      N. Ohashi, H. Tomii, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura:
Anisotropy of Electrical Conductivity in a Pentacene Crystal Grain on SiO2 Evaluated by Atomic-Force-Microscope Potentiometry and Electrostatic Simulation, Appl. Phys. Lett. 96 (20), 203302 (3 pages) (2010.5).
DOI: 10.1063/1.3430041

30.      K. Kudo, T. Takano, H. Yamauchi, M. Iizuka, and M. Nakamura:
High-Speed Operation of Step-Edge Vertical-Channel Organic Transistors with Pentacene and 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) Pentacene, Jpn. J. Appl. Phys. 49 (4), 04DK03 (4 pages) (2010.4).
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DK03

31.      M. Sakai, Y. Ito, T. Takahara, M. Ishiguro, M. Nakamura, and K. Kudo :
Ferroelectriclike Dielectric Response and Metal-Insulator Transition Inorganic Mott Insulator-Gate Insulator Interface, J. Appl. Phys. 107 (4), 043711 (5 pages) (2010.2).
DOI: 10.1063/1.3310735

32.      F. Pu, Y. Watanabe, H. Yamauchi, M. Nakamura, and K. Kudo:
Effect of Gate Insulating Layer on Organic Static Induction Transistor Characteristics, Thin Solid Films 518 (2), 514-517 (2009.12).
DOI: 10.1016/j.tsf.2009.07.064

33.      T. Takano, H. Yamauchi, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
High-Speed Operation of Vertical Type Organic Transistors Utilizing Step Edge Structures, Appl. Phys. Express 2 (7), 071501 (3 pages) (2009.7).
DOI: 10.1143/APEX.2.071501

34.      H. Yamauchi, Y. Watanabe, M. Iizuka, M. Nakamura, k. Kudo:
Fabrication of active light-emitting device combined with ZnO transistors”, Jpn. J. Appl. Phys. 48 (4), 04C167 (2009.4).

35.      T. Sawabe, K. Okamura, T. Sueyoshi, T. Miyamoto, K. Kudo, N. Ueno, and M. Nakamura:
Vertical Electrical Conduction in Pentacene Polycrystalline Thin Films Mediated by Au-Induced Gap States at Grain Boundaries, Appl. Phys. A 95 (1), 225-232 (2009.2).
DOI: 10.1007/s00339-008-5015-z

36.      M. Nakamura, H. Ohguri, N. Goto, H. Tomii, M.-S. Xu, T. Miyamoto, R. Matsubara, N. Ohashi, M. Sakai, and K. Kudo:
Extrinsic Limiting Factors of Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistors, Appl. Phys. A 95 (1), 73-80 (2009.2).
DOI: 10.1007/s00339-008-4991-3

37.      H. Yamauchi, Y. Watanabe, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Characterization of Organic Static Induction Transistors with Nano-Gap Gate Fabricated by Electron Beam Lithography, IEICE Trans. Electron. E91-C (12), 1852-1855 (2008.12).
DOI: 10.1093/ietele/e91-c.12.1852

38.      M. Sakai, H. Miyata, K. Itami, M. Nakamura, and K. Kudo:
Spontaneous Activation Process for Self-Aligned Organic Nanochannel Transistors, Appl. Phys. Express 1 (8), 081802 (3 pages) (2008.8).
DOI: 10.1143/APEX.1.081802

39.      M.-S. Xu, A. Ohno, S. Aramaki, K. Kudo, and M. Nakamura:
Factors Influencing Local Potential Drop in Bottom-Contact Organic Thin-Film Transistor Using Solution-Processible Tetrabenzoporphyrin, Org. Electron. 9 (4), 439-444 (2008.8).

40.      R. Matsubara, N. Ohashi, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura:
Analysis of Barrier Height at Crystalline Domain Boundary and In-Domain Mobility in Pentacene Polycrystalline Films on SiO2, Appl. Phys. Lett. 92 (24), 242108 (3 pages) (2008.6).

41.      M.-S. Xu, M. Nakamura*, and K. Kudo:
Thickness Dependence of Mobility of Pentacene Planar Bottom-Contact Organic Thin-Film Transistors, Thin Solid Films 516 (9), 2776-2778 (2008.3).

42.      N. Ohashi, H. Tomii, R. Matsubara, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura:
Conductivity Fluctuation within a Crystalline Domain and Its Origin in Pentacene Thin-Film Transistors, Appl. Phys. Lett. 91 (16), 162105(3 pages) (2007.10).

43.      M.-S. Xu, K. Nagai, M. Nakamura*, K. Kudo, and M. Iizuka:
Enhanced Performance of Solution-Processed Regioregular Poly(3-hexylthiophene) Thin-Film Transistors Using Planar Bottom-Contact Architecture, Appl. Phys. Lett. 90 (22), 223512 (3 pages) (2007.9).

44.      M. Sakai, H. Sakuma, Y. Ito, A. Saito, M. Nakamura, and K. Kudo:
Ambipolar Field-Effect Transistor Characteristics of (BEDT-TTF)(TCNQ) Crystals and Metal-Like Conduction Induced by a Gate Electric Field, Phys. Rev. B 76 (4), 045111 (5 pages) (2007.7).

45.      H. Iechi, T. Okawara, M. Sakai, M. Nakamura, and K. Kudo:
Vertical-Type Organic devices Using Thin-Film ZnO Transparent Electrode, Electrical Engineering in Japan 158 (2), 49-55 (2007.2).

46.      M. Sakai, M. Nakamura, and K. Kudo:
Organic Nanochannel Field-Effect Transistor with Organic Conductive Wires, Appl. Phys. Lett. 90 (6), 062101 (3 pages) (2007.2).

47.      K. Fujimoto, T. Hiroi, K. Kudo, and M. Nakamura:
High-Performance, Vertical-Type Organic Transistors with Built-In Nanotriode Arrays, Adv. Mater. 19 (4), 525-530 (2007.2).

48.      M.-S. Xu, M. Nakamura*, M. Sakai, and K. Kudo:
High-Performance Bottom-Contact Organic Thin-Film Transistors with Controlled Molecule-Crystal/Electrode Interface, Adv. Mater. 19 (3), 371-375 (2007.1).

49.      N. Ohashi, M. Nakamura*, N. Muraishi, M. Sakai, and K. Kudo:
Fabrication and Device Simulation of Single Nano-Scale Organic Static Induction Transistors, IEICE Trans. Electron. E89-C (12), 1765-1770 (2006.12).

50.      H. Fukagawa, H. Yamane, T. Kataoka, S. Kera, M. Nakamura, K. Kudo, and N. Ueno:
Origin of the Highest Occupied Band Position in Pentacene Films From Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy: Hole Stabilization versus Band Dispersion, Phys. Rev. B 73 (24), 245310 (5 pages) (2006.6).

51.      C.M. Joseph, T. Natsume, M. Nakamura, M. Iizuka, and K. Kudo:
Device Preparation and Characterization of Drain Current Transients in Static Induction Micro Transistors, Microelectronics Journal 37, 884-887 (2006.9).

 

52.      K. Fujimoto, T. Hiroi, and M. Nakamura:
Organic Static Induction Transistors with Nano-Hole Arrays Fabricated by Colloidal Lithography, e-J. Surf. Sci. Nanotech. 3, 327-331 (2005.11).

 

53.      H. Iechi, M. Sakai, K. Nakamura, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Vertical Type Organic Light Emitting Device Using Thin-film ZnO Electrode, Synthetic Metals 154 (1-3),149-152 (2005.9)

 

54.      M. Sakai, E. Yajima, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Organic Nano-Transistor Fabricated by Co-Evaporation Method under Alternating Electric Field, Synthetic Metals 153 (1-3), 293-296 (2005.7).

 

55.      C.M. Joseph, N. Hirashima, M. Nakamura*, M. Iizuka, and K. Kudo:
FabricatioNof Organic Static Induction Transistors with Higher Order Structures, Appl. Surf. Sci. 244 (1-4), 603-606 (2005.4).

 

56.      M. Nakamura, N. Goto, N. Ohashi, M. Sakai, and K. Kudo:
Potential Mapping of Pentacene Thin-Film Transistors Using Purely Electric Atomic-Force-Microscope Potentiometry, Appl. Phys. Lett. 86 (12), 122112 (3 pages) (2005.3).

 

57.      M. Sakai, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Self-Organized Growth of Tetrathiafulvalene-Tetracyanoquinodimethan Molecular Wires Using the Co-evaporation Method Under a Static Electric Field, J. Appl. Phys. 97 (5), 053509 (4 pages) (2005.3).

 

58.      H. Nishimura, M. Iizuka, M. Sakai, M. Nakamura, and K. Kudo:
Poly(3-hexylthiophen) Field-Effect Transistor with Controllable Threshold Voltage, Jpn. J. Appl. Phys. 44 (1B), 621-625 (2005.1).

 

59.      H. Sakuma, M. Sakai, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Fabrication of Organic Transistors Using BEDT-TTF and (BEDT-TTF)(TCNQ) CT-Complex Films, IEICE Trans. Electron. E87-C (12), 2049-2052 (2004.12).

 

60.      S. Tanaka, H. Yanagisawa, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Vertical- and Lateral-Type Organic FET Using Pentacene Evaporated Films, Electrical Engineering in Japan 149 (2), 43-48 (2004.11).

 

61.      H. Yanagisawa, T. Tamaki, M. Nakamura*, and K. Kudo:
Structural and Electrical Characterization of Pentacene Films on SiO2 Grown by Molecular Beam Deposition, Thin Solid Films 464-465, 398-402 (2004.10).

 

62.      家地洋之, 大河原健, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩:
酸化亜鉛透明電極を用いた縦型有機デバイス, 電気学会論文誌C 124 (6), 1207-1212 (2004.6).

 

63.      酒井正俊, 矢嶋英治, 佐久間広貴, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤一浩:
電荷移動錯体ワイヤを用いた有機ナノトランジスタ, 電気学会論文誌C 124 (6), 1224-1228 (2004.6).

 

64.      H. Nishimura, M. Iizuka, M. Sakai, M. Nakamura, and K. Kudo:
Electrical Characterization of a P3HT thin film prepared by an applying-field casting method, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. 29 (3), 751-754 (2004.5).

 

65.      M. Sakai, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Thin Film Transistors with Oriented Copper Phthalocyanine Crystals Fabricated by Physical Vapor Deposition under DC Electric Field, Jpn. J. Appl. Phys. 43 (4B), 2362-2365 (2004.4).

66.      M. Nakamura, H. Yanagisawa, S. Kuratani, M. Iizuka, and K. Kudo:
CharacterizatioNof Organic Nano-Transistors Using a Conductive AFM Probe, Thin Solid Films 438-439, 360-364 (2003.9).

 

67.      K. Kudo, S. Tanaka, M. Iizuka, and M. Nakamura:
Fabrication and Device Characterization of Organic Light Emitting Transistors, Thin Solid Films 438-439, 330-333 (2003.9).

 

68.      H. Sakuma, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Fabrication and Device Characterization of Ultra-Thin Film Transistor Using TMPD-CnTCNQ LB Films, Thin Solid Films 438-439, 326-329 (2003.9).

69.      佐久間広貴, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤一浩:
電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜トランジスタの作製, 電気学会論文誌C 123 (5), 1027-1028 (2003.5).

 

70.      田中諭, 柳澤啓友, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤一浩:
ペンタセン薄膜を用いた縦型・横型有機トランジスタ, 電気学会論文誌C 123 (5), 853-857 (2003.5).

 

71.      M. Sakai, M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Fabrication and Electrical Characterization of TTF-TCNQ Molecular Wires, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (Pt. 1, 4B), 2488-2491 (2003.4).

 

72.      M. Nakamura, K. Kudo, A. Shimizu, Y. Nakayama, and Y. Nagasawa:
AFM Study of Discrete Surface Functional Group Fabricated by Langmuir-Blodgett Technique, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. 28 (1), 19-22 (2003.4).

73.      S. Kuniyoshi, M. Watanabe, M. Iizuka, M. Nakamura, K. Kudo, and K. Tanaka:
Thermally Stimulated Current of Pentacene Schottky Diode, Synth. Met. 137 (1-3), 895-896 (2003).

 

74.      H. Nishimura, M. Matsuo, M. Iizuka, S. Kuniyoshi, M. Nakamura, K. Kudo, and T. Tanaka:
Ultrathin Multilayered Films Using CuPcSAS and Polyaniline, Synth. Met. 137 (1-3), 889-890 (2003.4).

 

75.      M. Nakamura, M. Fukuyo, E. Wakata, M. Iizuka, K. Kudo, and K. Tanaka:
Development of AFM Potentiometry for Potential Mapping of Organic Conductors, Synthetic Metals 137 (1-3), 887-888 (2003.4).

 

76.      中村雅一,佐久間広貴,酒井正俊,飯塚正明,工藤一浩:
「自己組織化」有機ナノトランジスタ,表面科学 24 (2)77-82 (2003.2).

 

77.      田中諭, 家地洋之, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤一浩:
ペンタセン薄膜を用いた有機LED駆動用トランジスタの作製, 電子情報通信学会論文誌 J85-C (12), 1083-1089 (2002.12).

78.      西村悠, 飯塚正明, 国吉繁一, 中村雅一, 工藤一浩, 田中國昭:
自己組織化スピンコート法による有機超薄膜交互積層構造の作製と評価, 電子情報通信学会論文誌 J85-C (12), 1057-1063 (2002.12).

 

79.      M. Nakamura, M. Iizuka, K. Kudo, and K. Tanaka:
Local Area Characterization of Evaporated TTF-TCNQ Complex Films with Scanning Tunneling Spectroscopy, IEICE Trans. Electron. E85-C (6), 1323-1327 (2002).

 

80.      M. Iizuka, M. Nakamura, K. Kudo, and K. Tanaka:
Electrical Characterization of Hole Transport Materials Using In-situ Field Effect Measurement, IEICE Trans. Electron. E85-C (6), 1311-1316 (2002).

 

81.      H. Sakuma, M. Iizuka, M. Nakamura, K. Kudo, and K. Tanaka:
Fabrication of FET Using Charge-Transfer-Complex LB Films, Jpn. J. Appl. Phys. 41 (4B), 2727-2729 (2002.4).

 

82.      M. Iizuka, M. Nakamura, and K. Kudo:
Control of FET Characteristics by Electric Field During Charge Transfer Complex Deposition, Jpn. J. Appl. Phys. 41 (4B), 2720-2723 (2002.4).

 

83.      Y. Muraji, K. Yoshikawa, M. Nakamura*, and Y. Nakagawa:
Evaluation of SiO2 Films and SiO2/Si Interfaces by Graded Etching, Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2A), 805-809 (2002.2).

 

84.      村司雄一, 吉川和宏, 中村雅一*, 中川善嗣:
傾斜エッチングによるSiO2膜およびSiO2/Si界面の評価, Journal of Surface Analysis 8, 201-207 (2001).

 

85.      M. Nakamura, T. Matsunobe, and H. Tokumoto:
Control of In-Plane Orientation of Phthalocyanine Molecular Columns Using Vicinal Si(001)-(2x1)-H, J. Appl. Phys. 89 (12), 7860-7865 (2001.6).

 

86.      H. Mizoguchi, N. Kitamura, K. Fukumi, T. Mihara, J. Nishi, M. Nakamura, N. Kikuchi, H. Hosono, and H. Kawazoe:
Optical Properties of SrMoO
3 Thin Film, J. Appl. Phys. 87 (9), 4617-4619 (2000).

 

87.      N. Sigiyama, A. Shimizu, M. Nakamura*, Y. Nakagawa, Y. Nagasawa, and H. Ishida:
Molecular-Scale Structures of Langmuir-Blodgett Films of Fatty Acids Observed by Atomic Force Microscopy (II) - Cation Dependence, Thin Solid Films 331, 170-175 (1998).

 

88.      L.A. Nagahara, M. Nakamura, and H. Tokumoto:
Investigation of Mesoscopic Domains in Thin Organic Films Using Near-Field Optical Absorption Mapping, Ultramicroscopy 71, 281-285 (1998).

89.      M. Nakamura and H. Tokumoto:
Molecular Arrangement of Copper Phthalocyanine on Si(001)-(2x1)-H: a High-Resolution Frictional Force Microscopy and Molecular Mechanics Study, Surf. Sci. 398, 143-153 (1998).

 

90.      M. Nakamura and H. Tokumoto:
Scanning Probe Microscopy Study of the Molecular Arrangement of CuPc Crystal on Si(001)-(2x1)-H, Surf. Sci. 377-379, 85-89 (1997).

 

91.      M. Nakamura, Y. Morita, and H. Tokumoto:
Influence of Film Thickness on the Molecular Arrangement of Copper Phthalocyanine on Hydrogen-Terminated Si(111), Appl. Surf. Sci. 113/114, 316-321 (1997).

 

92.      M. Nakamura, Y. Morita, Y. Mori, A. Ishitani, and H. Tokumoto,
Molecular Arrangement of Copper Phthalocyanine on Hydrogen-Terminated Si(111): Influence of Surface Roughness, J. Vac. Sci. Tech. B 14 (2), 1109-1113 (1996).

 

93.      T. Nonaka, Y. Nakagawa, Y. Mori, H. Hirai, T. Matsunobe, M. Nakamura, T. Takahagi, and A. Ishitani:
Epitaxial Growth of
α-Copper Phthalocyanine Crystal on Si(100) Substrate by Organic Molecular Beam Deposition, Thin Solid Films 256, 262-267 (1995).

 

94.      M. Nakamura, T. Takahagi, and A. Ishitani:
Fluorine Termination of Silicon Surface by F2 and Succeeding Reaction with Water, Jpn. J. Appl. Phys. 32 (6B), 3125-3130 (1993).

95.      Y. Matsui, R. Nagayoshi, M. Nakamura, M. Okuyama, and Y. Hamakawa:
Low Temperature Growth of SiO2 Thin Film by Photo-Induced Chemical Vapor Deposition Using Synchrotron Radiation, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (6B), 1972-1978 (1992).

 

96.      M. Okuyama, M. Nakamura, and Y. Hamakawa:
Growth of SiO2 Thin Film by Photo-CVD Using Synchrotron Orbital Radiation, Solid-State Electronics 33 Supplement, 149-154 (1990).

 

97.      M. Nakamura, M. Okuyama, and Y. Hamakawa:
Infrared Characterization of Interface State Reduction by F
2 Treatment in SiO2/Si Structure Using Photo-CVD SiO2 Film, Jpn. J. Appl. Phys. 29 (5), L687-689 (1990).

 

98.      K. Inoue, M. Nakamura, M. Okuyama, and Y. Hamakawa:
Reduction of Interface-State Density by F2 Treatment in a Metal-Oxide-Semiconductor Diode Prepared From a Photochemical Vapor Deposited SiO2 Film, Appl. Phys. Lett. 55 (23), 2402-2404 (1989).

 

 

【学術論文】(国際会議論文)

 

99.      M. Sakai, H. Yamauchi, M. Nakamura, and K. Kudo:
Fabrication of organic conductive wires and molecular break junction, J. Phys.: Conf. Ser. 358 (1), 012011(5 pages), (2012.4).
DOI:10.1088/1742-6596/358/1/012011

100.   M. Nakamura, A. Hoshi, M. Sakai, and K. Kudo:
Evaluation of Thermopower of Organic Materials Toward Flexible Thermoelectric Power Generators, MRS Proceedings, 1197, 1197-D09-07 (2010.4)
DOI:10.1557/PROC-1197-D09-07.

 

101.   N. Hirashima, N. Ohashi, M. Nakamura, and K. Kudo:
Fabrication of organic vertical-type field-effect transistors using polystyrene spheres as evaporation mask, Proceeding of the International Symposium on Super-Functionality Organic Devices, IPAP Conference Series 6, 158-160 (2005.3).

102.   M. Nakamura, H. Ohguri, H. Yanagisawa, N. Goto, N. Ohashi, and K. Kudo:
Electrical Characterization of Pentacene Thin Films Using Four-Point-Probe Field-Effect Measurement and Atomic Force Microscope Potentiometry, Proceeding of the International Symposium on Super-Functionality Organic Devices, IPAP Conference Series 6, 130-135 (2005.3).

103.   M. Nakamura, M. Watanabe, T. Maruyama, M. Iizuka, and K. Kudo:
Influence of Substrate on In-Plane Electrical Conduction of CuPc Nano-Crystals, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 738, G8.11 (2003.4).

104.   H. Nishimura, M. Iizuka, S. Kuniyoshi, M. Nakamura, K. Kudo, and K. Tanaka:
Fabrication of Organic Ultrathin Multilayered Films Using Self-Assembly and Spin-Coating Method, Proc. 2001 Int. Symp. on Electrical Insulating Materials, 599-602 (2001).

 

105.   A. Karen, M. Nakamura, K. Okuno, F. Soeda, and A. Ishitani:
Molecular Ion Imaging of Phthalocyanine Crystals on Si by Time-of-Flight SIMS, Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS X, 189-192 (Wiley, New York, 1997).

106.   M. Nakamura, K. Yamada, K. Okuno, F. Soeda, and A. Ishitani:
Quantitative Analysis of SiO
2/Si Interface Region Using the Oxygen Leak Technique, Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS IX, 207-210 (Wiley, New York, 1994).

 

107.   M. Nakamura, T. Takahagi, and A. Ishitani:
The Fluorine Termination of Silicon Surface by F2 Treatment and Variation of the Surface Structure in Water, Proc. Symp. on Dry Process, Tokyo, 111-116 (1992).

 

108.   Y. Matsui, R. Nagayoshi, M. Nakamura, M. Okuyama, and Y. Hamakawa:
Low Temperature Growth of SiO2 Thin Film by Photo-CVD Using Synchrotron Orbital Radiation, Proc. Symp. on Dry Process, Tokyo, 177-182 (1991).

 

109.   R. Fukao, H. Fujikawa, M. Nakamura, Y. Hamakawa, and S. Ibuki:
High-Luminance ZnS:Sm,F Thin-Film Electroluminescent Devices Using Ferroelectric PbTiO3 Thin Film, Electroluminescence, Proceedings of the Fourth International Workshop, 164-166 (Springer-Verlag, Berlin, 1989).

110.   Y. Hamakawa, H. Fujikawa, M. Nakamura, T. Deguch, and R. Fukao:
Tunable Color Electroluminescence Display Operated by Pulse Code Modulation, Electroluminescence, Proceedings of the Fourth International Workshop, 286-290 (Springer-Verlag, Berlin, 1989).

 


【学術報告等】(査読のないもの)

 

1.        中村雅一, 小島広孝, 阿部竜, 松原亮介, 小栗貴文, 菊池護, 吉本則之, 渡辺剛, 小金澤智之:
有機薄膜における巨大熱電効果発現機構解明のための2D-GIXDによる構造相転移解析, 平成26年度 SPring-8 産業新分野支援課題・一般課題(産業分野)実施報告書, pp. 137-140 (2015.2).

2.        小島広孝, 阿部竜, 藤原史弥, 伊藤光洋, 橋爪拓也, 松原亮介, 中村雅一:
分子動力学法による熱電変換材料の熱物性評価, 電子情報通信学会技術報告信学技報, vol. 114, no. 241, OME2014-46, pp. 51-56 (2014.10).

3.        柴瀛, 村山龍平, 小島広孝, 松原亮介, 中村雅一:
インピーダンス分光法による低分子系有機光電変換素子の特性制限要因の解析, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 113, No. 312, OME2013-71, pp. 19-23 (2013.11).

4.        松原亮介, 中村峻介, 落合慧紀, 中村雅一:
有機多結晶膜における移動度制限要因の新規解析方法, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 113, No. 243, OME2013-58, pp. 39-43 (2013.10).

5.        上田智也, 李世光, 鈴木諒, 藤井勝之, 松原亮介, 中村雅一:
FDTD
法によるOFETTHzセンサの電磁界解析, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 113, No. 243, OME2013-54, pp. 17-22 (2013.10).

6.        伊藤光洋, 戸松康行, 松原亮介, 岡本尚文, 山下一郎, 中村雅一:
かご状タンパク質を利用した分子スケール接合制御によるCNT薄膜の熱電特性の向上, 電子情報通信学会信学技報, Vol.113, No.9, ED2013-13, pp. 49-53 (2013.4).

7.        吉岡勇多, 李世光, 上田智也, 松原亮介, 中村雅一:
グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討,電子情報通信学会信学技報,Vol. 112No. 304OME2012-70pp. 43-47 (2012.11).

8.        M. Nakamura, Y. Tomatsu, R. Matsubara, A. Hoshi, and M. Sakai:

Potential of Organic Materials for the Application to Thermoelectric Generators, Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1299-1300 (2012.9).

 

9.        R. Matsubara, T. Nomura, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura:

Mobility Limiting Factors in Pentacene Thin-Film Transistors: Influence of the Film Growth Rate, Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1283-1284 (2012.9).

10.      酒井正俊, 花田光聡, 山崎陽太, 国吉繁一, 山内博, 中村雅一, 工藤一浩:
(BEDT-TTF)(TCNQ)
結晶におけるインピーダンス測定, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 112, No. 57, OME2012-28, pp. 45-47 (2012.5).

11.      李世光, 松末俊夫, 吉岡勇多, 松原亮介, 酒井正俊, 工藤一浩, 中村雅一:
ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 112, No. 57, OME2012-27, pp. 41-44 (2012.5).

12.      松原亮介, 坂井祐貴, 野村俊夫, 真島豊, 酒井正俊, 工藤一浩, 中村雅一:
ペンタセン多結晶膜の結晶学的階層構造とキャリア輸送バンドに対する絶縁膜表面の影響, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 112, No. 5, ED2012-5, pp. 19-23 (2012.4).

13.      岡本樹宜, 井上敦夫, 城寶祐輝, 酒井正俊, 山内博, 中村雅一, 工藤一浩:
ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製, 電子情報通信学会電子情報通信学会信学技報, Vol.111, No.369, OME2011-73 (2011.12).

14.      松原亮介, 野村俊夫, 大橋昇, 酒井正俊, 工藤一浩, 中村雅一:
ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係, 電子情報通信学会電子情報通信学会信学技報, Vol.111, No.236, OME2011-55 (2011.10).

15.      花田光聡, 酒井正俊, 石黒雅人, 松原亮介, 山内博, 中村雅一, 工藤一浩:
(BEDT-TTF)(TCNQ)
結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関, 電子情報通信学会電子情報通信学会信学技報, Vol.111, No.236, OME2011-53, (2011.10).

16.      酒井正俊, 小川泰司, 飯塚正明, 山内博, 中村雅一, 工藤一浩:
鉛フタロシアニン結晶の電界下選択成長, 電子情報通信学会信学技報, Vol.111, No.73, OME2011-15, pp. 7-9 (2011.10).

17.      松原亮介, 星敦史, 浦方華, 長尾俊樹, 増田将太郎, 李世光, 小金澤 智之, 中村雅一:
有機薄膜トランジスタの高性能化に向けた, 有機多結晶膜の結晶子サイズと基板表面構造の相関の解析, 平成22年度SPring-8重点産業利用課題成果報告書2010A, 2010A1874(4 pages) (2011.2).

18.      石黒雅人, 伊藤裕哉, 高原知樹, 花田光聡, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩:
有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)のキャリア伝導特性と結晶構造の解析, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 110, No. 243, OME2010-54, pp. 41-45 (2010.10).

19.      野村俊夫, 坂井祐貴, 松原亮介, 酒井正俊, 工藤一浩, 中村 雅一:
ペンタセンTFTにおけるキャリア輸送制限要因に対する基板表面処理および有機層成長速度の影響, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 110, No. 243, OME2010-51, pp. 27-31 (2010.10).

20.      松原亮介, 藤井孝博, 中山直樹, 中村雅一:
トランジスタ用有機多結晶薄膜における結晶子サイズの評価:基板表面構造の影響, 平成21年度SPring-8重点産業利用課題成果報告書2009A, pp. 110-113 (2010.2).

21.      藤井孝博, 松井弘之, 長谷川達生, 国吉繁一, 酒井正俊, 工藤一浩, 中村雅一:
in-situ
電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 109, No. 359, OME2009-76, pp. 51-56 (2010.1).

22.      浦部裕亮, 多田喜宏, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩:
有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 109, No. 283, OME2009-53, pp. 1-5 (2009.11).

23.      石黒雅人, 伊藤裕哉, 高原知樹, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩:
(BEDT-TTF)(TCNQ)
配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関, 電子情報通信学会信学技報, Vol. 109, No. 184, OME2009-39, pp. 19-22 (2009.9).

24.      前田悠, 高野智輝, 山内博, 飯塚正明, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤 一浩:
情報タグ用高速有機回路素子の検討,電子情報通信学会技術報告,Vol.109, No.48, OME2009-20, pp. 61-64 (2009.5).

25.      中村雅一:
[招待講演]有機多結晶薄膜トランジスタにおけるキャリア輸送の制限要因, 電子情報通信学会技術報告, Vol. 109, No. 16, ED2009-2, pp. 7-11 (2009.4).

26.      酒井正俊, 伊藤裕哉, 高原知樹, 中村雅一, 工藤 一浩:
 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移,電子情報通信学会技術報告,Vol.108, No.468,469, EID2008-87, OME2008-98, pp. 23-26 (2009.3).

27.      松原亮介, 吉本則之, 大野玲, 中村雅一:
トランジスタ用有機多結晶薄膜における結晶子サイズの評価,
平成20年度SPring-8重点産業利用課題成果報告書2008A, pp. 100-107 (2009.2).

 

28.      成田幸介, 山内博, 飯塚正明, 国吉繁一, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤 一浩:
塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製,電子情報通信学会技術報告,Vol.108, No.272, OME2008-50, pp. 1-4 (2008.10).

29.      Y. Takenouchi, S. Masuda, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura
Fabrication of Air-Stable High-ON/OFF-Ratio Organic Static-Induction Transistor with Nano-Triode Array, Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1132-1133 (2008.9).

30.      坂井祐貴, 中村雅一, 酒井正俊, 工藤一浩, 中山泰生, 石井久夫, 鈴木貴仁, 種村眞幸:
電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価,電子情報通信学会技術報告, Vol. 108, No. 112, OME2008-39, pp. 43-48 (2008.6).

 

31.      高野智輝, 山内博, 飯塚正明, 國吉繁一, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤 一浩:
段差型有機FETの電気的特性評価,電子情報通信学会技術報告,Vol. 108, No. 59, OME2008-29, pp. 45-50 (2008.5).

32.      酒井正俊, 伊藤裕哉, 高原知樹, 中村雅一, 工藤 一浩:
 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおけるゲート電界誘起金属-絶縁体転移,電子情報通信学会技術報告,Vol. 108, No. 59, OME2008-28, pp. 41-44 (2008.5).

 

33.      斉藤聡伸, 酒井正俊, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤 一浩:
自己配線構造を有する有機ナノFETのチャネル領域における電位分布測定,電子情報通信学会技術報告, Vol.107, No.412, OME2007-71, pp. 19-24 (2008.1).

 

34.      N. Ohashi, H. Tomii, R. Matsubara, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura
Potential Fluctuation within a Crystalline Domain in Pentacene Thin Film Transistors and its Origin, Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1082-1083 (2007.9).

 

35.      R. Matsubara, N. Ohashi, M. Sakai, K. Kudo and M. Nakamura:
Lateral Carrier Transport in Pentacene Polycrystalline Films –Hole Transport Barrier and Effective Mass in Crystals–, Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, 636-637 (2007.9).

 

36.      大橋昇, 冨井弘, 松原亮介, 中村雅一, 酒井正俊, 工藤一浩:
ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源,電子情報通信学会技術報告,OME2007-10, 5-9 (2007.5).

37.      長尾高成, 森田修介, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩:
有機半導体材料のゾーン精製と溶融法によるFET作製,電子情報通信学会技術報告,OME2007-9, 1-4 (2007.5).

38.      松原亮介, 中村雅一, 工藤一浩:
ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 〜 ホール輸送障壁と結晶内有効質量 〜,電子情報通信学会技術報告,EID2006-90OME2006-133, 7-11 (2007.3).

39.      伊藤裕哉, 酒井正俊, 佐久間広貴, 中村雅一, 工藤一浩:
有機Mott絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)の金属-絶縁体転移点近傍におけるFET特性の温度変化,電子情報通信学会技術報告,OME2006-1097-11 (2006.12).

40.      T. Sawabe, K. Okamura, T. Miyamoto, M. Nakamura, and K. Kudo:
Reduction of Electrical Damage due to Au/Pentacene Contact Formation by Introducing Ar Gas during Au Evaporation, Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, 762-763 (2006.9).

41.      宮田晴哉, 伊丹恒平, 酒井正俊, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤一浩:
通電加熱による有機ナノFETの作製とデバイス特性,電子情報通信学会技術報告,OME2006-5423-26 (2006.7).

42.      遠藤剛, 佐久間広貴, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩:
重水素置換BEDT-TTFを用いた(BEDT-TTF)(TCNQ)錯体のambipolor FET特性,電子情報通信学会技術報告,OME2006-5211-15 (2006.7).

43.      N. Ohashi, N. Hirashima, N. Goto, M. Nakamura, and K. Kudo:
Evaluation of Carrier Mobility Models for Organic Semiconductor Device Simulations, Extended Abstracts of the 2005 Conference on Solid State Device and Materials, 820-821 (2005.9).

44.      大谷聡志,飯塚正明,家地洋之, 酒井正俊,中村雅一,工藤一浩:
電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構,電子情報通信学会技術報告,OME2005-2711-14 (2005.6).

 

45.      伊丹恒平,酒井正俊,飯塚正明,中村雅一,工藤一浩:
電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構,電子情報通信学会技術報告,OME2005177-11 (2005.5).

 

46.      大橋昇,平島直樹,後藤直行,中村雅一,工藤一浩:
有機半導体デバイスシミュレーションのためのキャリア移動度モデルの検討, 電子情報通信学会技術報告,OME2005-1813-17 (2005.5).

 

47.      佐久間広貴,酒井正俊,飯塚正明,中村雅一,工藤一浩:
(BEDT-TTF)(TCNQ)
錯体を用いたambipolar動作FETの動作特性,電子情報通信学会技術報告,OME2004-10259-62 (2004.11).

 

48.      後藤直行, 中村雅一, 飯塚正明, 工藤一浩:
AFM
ポテンショメトリの開発と有機FETの電位分布測定,電気学会電子材料研究会資料,EFM-03-32, 21-26 (2003.12).

 

49.      矢嶋英治,飯塚正明,酒井正俊,中村雅一,工藤一浩:
有機導体による自己配線構造をもつ有機ナノトランジスタ,電子材料研究会資料, EFM-03-31, 15-19  (2003.12).

 

50.      佐久間広貴,酒井正俊,飯塚正明,中村雅一,工藤一浩:
TMTSF-TCNQ
電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御,電子情報通信学会技術報告,OME2003-10543-47 (2003.11).

 

51.      大栗洋和,玉置剛士,柳澤啓友,中村雅一,飯塚正明,工藤一浩:
マイクロ4探針を用いた導電率・FET測定による有機薄膜の電気物性評価,電子情報通信学会技術報告,OME2003-2235-40 (2003).

 

52.      国吉繁一,飯塚正明,中村雅一,工藤一浩,田中國昭:
 Ta陽極酸化膜を用いたファイバ状有機FET, 電子材料研究会資料, EFM-03-5, 37-45 (2003).

53.      家地洋之, 大河原健, 飯塚正明, 酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩:
縦型有機デバイス用ZNo透明電極の検討, 電子材料研究会資料, EFM-03-5, 21-26 (2003).

 

54.      国吉繁一,渡辺昌敏,飯塚正明,中村雅一,工藤一浩,田中國昭:
ペンタセン蒸着膜の熱刺激電流,電子情報通信学会技術報告,OME2002-162002-05 (2002).

 

55.      村石典生,中村雅一,飯塚正明,工藤一浩,田中國昭:
導電性AFM探針を用いた有機ナノSITの作製,電子情報通信学会技術報告,OME2002-1513-17 (2002.5).

 

56.      H. Sakuma, M. Iizuka, M. Nakamura and K. Kudo:
Fabrication of FET Using Charge-Transfer-Complex LB Films, Extended Abstracts of the 2001 Conference on Solid State Device and Materials, 626-627 (2001).

57.      M. Iizuka, M. Nakamura and K. Kudo:
Control of FET Characteristics by electric Field During CT Complex Deposition, Extended Abstracts of the 2001 Conference on Solid State Device and Materials, 622-623 (2001.11).

 

58.      落合武志,飯塚正明,国吉繁一,中村雅一,工藤一浩,田中國昭:
その場電界効果測定法による有機EL材料の電気物性評価,電子情報通信学会技術報告,OME2001-9819-23 (2001.11).

59.      工藤一浩,飯塚正明,中村雅一:
電界印加蒸着法による有機トランジスタの特性制御,電子情報通信学会技術報告,OME2001-57, 1-4 (2001).

 

60.      中村雅一,飯塚正明,工藤一浩:
電界移動錯体のナノエレクトロニクスへの応用 −分子配線と相転移トランジスタ−,電子情報通信学会技術報告,OME2001-2331-36 (2001.6.1).

61.      佐久間広貴,飯塚正明,中村雅一,工藤一浩,田中國昭:
電界移動錯体LB膜を用いた超薄膜FETの作製,電子情報通信学会技術報告,OME2001-1541-46 (2001.5.11).

 

62.      池上加世子,飯塚正明,中村雅一,工藤一浩,田中國昭:
複合型有機発光トランジスタ,電子情報通信学会技術報告,OME2000-1721-5 (2001).

 

63.      大池洋久,飯塚正明,国吉繁一,中村雅一,工藤一浩,田中國昭:
電界移動錯体蒸着膜のSTSによる局所物性評価,電子情報通信学会技術報告,OME2000-1297-12 (2000).

 

64.      K. Matsuzawa, Y. Oowaki, M. Nakamura, N. Aoki and I. Mizushima:
Simulation Analysis of Impurity Profile Extraction by SCM, Extended Abstracts of 1998 Sixth International Workshop on Computational Electronics, Osaka, 267-269 (1998).

 

65.      松沢一也,大脇幸人,中村雅一,青木伸俊,水島一郎:
SCM
測定のシミュレーション解析,電子情報通信学会技術報告,SDM98-15131-35 (1998).

 

66.      中村雅一,徳本洋志:
水素終端Si(001)基板上での銅フタロシアニン配向制御,電子情報通信学会技術報告,OME97-7453-58 (1997).

 

67.      L.A. Nagahara, M. Nakamura, and H. Tokumoto:
Study of Mesoscopic Domains in Thin Films Using Near-Field Optical Absorption Mapping, Extended Abstracts of the '97 JRCAT International Symposium on Atom TechNology, Tokyo, 117-120 (1997).

 

68.      S. Gwo, M. Nakamura, and H. Tokumoto:
Nanostructure Formation on Si(001)-(2x1):H, Extended Abstracts of the '97 JRCAT International Symposium on Atom Technology, Tokyo, 101-104 (1997).

 

69.      M. Nakamura, Y. Morita and H. Tokumoto:
Scanning Probe Microscopy Study of the Molecular Arrangement of CuPc on Si(001)-2x1-H, Extended Abstracts of the '97 JRCAT International Symposium on Atom Technology, Tokyo, 113-116 (1997).

 

70.      中村雅一,森田行則,徳本洋志:
水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察,電子情報通信学会技術報告,OME96-3659-64 (1996).

 

71.      M. Nakamura, Y. Morita, Y. Mori, A. Ishitani and H. Tokumoto:
Molecular Arrangement of Copper Phthalocyanine on Hydrogen-Terminated Si(111): Influence of Surface Roughness, Extended Abstracts of the '96 JRCAT International Symposium on Atom Technology, Tsukuba, 213-216 (1996).

 

72.      松井裕一,永吉良一,中村雅一,奥山雅則,浜川圭弘:
SOR
光を用いた光CVDによるSiO2膜の低温成長,電子情報通信学会技術報告,SDM90-15043-47 (1990).

 

73.      永吉良一,中村雅一,奥山雅則,浜川圭弘:
直接励起光CVD法により成長したSiO2膜の光吸収とフォトルミネッセンス,電子情報通信学会技術報告,SDM89-13841-45 (1989).

 

74.      M. Nakamura, M. Okuyama and Y. Hamakawa:
Reduction of Interface States of MOS Structure Using Photo-CVD SiO2 Film by F2 Treatment, Extended Abstracts of the 21st Conference on Solid State Device and Materials, 413-416 (1989).

 

75.      中村雅一,永吉良一,奥山雅則,浜川圭弘:
フッ素処理による光CVDSiO2膜のSiMOS界面準位密度の低減とIR-ATRによる評価,電子情報通信学会技術報告,SDM89-15149-54 (1989).

 

76.      井上幸二,中村雅一,奥山雅則,浜川圭弘:
直接励起光CVDによる低温成長SiO2膜の真空紫外光物性,電子情報通信学会技術報告,SDM88-12637-41 (1988).

 


【著書】

 

1.        H. Benten, D. Mori, H. Ohkita, S. Ito:
Polymer Donor–Polymer Acceptor Solar Cells” in “Handbook of Polymer and Hybrid Photovoltaics”, Wiley (2017).

2.        中村雅一:
フレキシブル熱電変換材料の開発と応用:第I編第2章フレキシブル熱電変換技術に関わる基礎原理と材料開発指針, pp. 16-24, 中村雅一監修, シーエムシー出版 (東京, 2017.7.31).
ISBN 978-4-7813-1255-2

3.        中村雅一:
フレキシブル熱電変換材料の開発と応用:第Ⅱ編第1章フレキシブル熱電変換素子に向けた有機熱電材料の広範囲探索, pp. 25-30, 中村雅一監修, シーエムシー出版 (東京, 2017.7.31).
ISBN 978-4-7813-1255-2

4.        小島広孝:
フレキシブル熱電変換材料の開発と応用:第Ⅱ編第4章有機半導体材料における巨大ゼーベック効果, pp. 47-57, 中村雅一監修, シーエムシー出版 (東京, 2017.7.31).
ISBN 978-4-7813-1255-2

5.        中村雅一:
フレキシブル熱電変換材料の開発と応用:第Ⅱ編第8章タンパク質単分子接合を用いたカーボンナノチューブ熱電材料の高性能化, pp. 88-92, 中村雅一監修, シーエムシー出版 (東京, 2017.7.31).
ISBN 978-4-7813-1255-2

6.        中村雅一, 伊藤光洋:
フレキシブル熱電変換材料の開発と応用:第Ⅲ編第4章カーボンナノチューブ紡績糸を用いた布状熱電変換素子, pp. 128-136, 中村雅一監修, シーエムシー出版 (東京, 2017.7.31).
ISBN 978-4-7813-1255-2

7.        関本祐紀, 中村雅一:
フレキシブル熱電変換材料の開発と応用:第Ⅳ編第7章3ω法による糸状試料の熱伝導率評価, pp. 206-212, 中村雅一監修, シーエムシー出版 (東京, 2017.7.31).
ISBN 978-4-7813-1255-2

8.        中村雅一:
IoT
を指向するバイオセンシング・デバイス技術:第2章フレキシブルデバイス、6フレキシブルエナジーハーベスター, pp. 154-163, 民谷栄一・関谷毅・八木康史監修, シーエムシー出版 (東京, 2016.11).
ISBN 978-4-7813-1190-6

9.        中村雅一:
熱刺激電流を用いた材料・デバイス開発の最前線:第3章有機半導体デバイスのTSCとトラップ評価、1有機トランジスタ, pp. 43-53, 岩本光正監修, シーエムシー出版 (東京, 2016.4).
ISBN 978-4-781311531

 

10.      R. Matsubara, N. Ohashi, S.-G. Li, and M. Nakamura:
“Chapter 10, Mobility limiting factors in practical polycrystalline organic thin films” in “Electronic Processes in Organic Electronics: Bridging Nanostructure, Electronic States and Device Properties”, Ed. H. Ishii, K. Kudo, T. Nakayama, and N. Ueno, pp. 185–225, Springer (2014.12).
DOI 10.1007/978-4-431-55206-2_10, ISBN 978-4-431552055

 

11.      中村雅一:
薄膜の評価技術ハンドブック:第4章第6節第1項走査型プローブ顕微鏡による電荷/電位マッピング, pp. 190-191, 金原粲監修, テクノシステム (東京,2013.1).
ISBN 978-4-924728677

12.      中村雅一:

有機デバイスのための界面評価と制御技術:第1編第3章 薄膜トランジスタにおける界面キャリア輸送の原子間力顕微鏡ポテンショメトリによる評価,岩本光正監修,シーエムシー出版 (東京,2009.8).
ISBN 978-4-781301594

 

13.      中村雅一:
低分子有機半導体の高性能化:第14節低分子多結晶薄膜におけるバンドプロファイルとキャリア輸送,小野昇監修,サイエンス&テクノロジー (東京,2009.5).
ISBN 978-4-903413662

14.      中村雅一:
薄膜トランジスタ:第2章から第4章の一部,薄膜材料デバイス研究会編,コロナ社 (東京,2008.11).
ISBN 978-4-339008029

15.      工藤一浩, 中村雅一:
有機薄膜形成とデバイス応用展開:第22節蒸着法による有機トランジスタの作製と評価,監修:大森裕, シーエムシー出版 (東京,2008.1).
ISBN 978-4-882319856

16.      M. Nakamura and T. Yamada:
Roadmap 2005 of Scanning Probe Microscopy: Ch.3, Electrostatic Force Microscopy, ed. S. Morita, Springer, (Germany, 2006).
ISBN 978-3-540343158

17.      中村雅一:
有機結晶材料の最新技術:第4章有機結晶の構造解析(プローブ顕微鏡), 中西八郎監修, シーエムシー出版 (東京,2005.12).

18.      中村雅一,山田啓文:
走査型プローブ顕微鏡−最新技術と未来予測:第3章3.2節電気力顕微鏡,森田清三編著,丸善 (東京,2005.12).

19.      中村雅一:
有機トランジスタ材料の評価と応用:第2章3節局所電気・電子物性,工藤一浩監修,シーエムシー出版(東京,2005.7).

20.      中村雅一,工藤一浩:
機能性色素としてのフタロシアニン:第8章固体電子物性,廣橋亮・坂本恵一・奥村映子編,アイピーシー (東京,2004).


【解説】

1.        辨天宏明:
"
全高分子ブレンド太陽電池の最新動向",応用物理 86 (9), 770774 (2017).

2.        中村雅一, 小島広孝:
“やわらかい”熱電材料を追い求めて─ 有機材料が熱電変換にブレークスルーをもたらす!?, 化学, 71 (8), 3135 (2016.8).

 

3.        中村雅一, 伊藤光洋, 阿部 , 小島広孝:
フレキシブル環境発電デバイスを目指した有機系熱電材料の探索, エネルギーデバイス, 2 (5), 7078 (2015.6).

 

4.        中村雅一, 小島広孝:
有機材料の特徴を活かした「やわらかい」熱電材料の開拓,応用物理学会M&BE誌,25 (4)271–278 (2014.12).

5.        中村雅一:
走査型プローブ顕微鏡および熱刺激電流法を用いたOFETチャネル内キャリア輸送バンドの評価,応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 講習会「有機半導体デバイスの界面分析の基礎と応用」テキスト,pp.65-74 (2014.11).
ISBN 978-4-86348-455-9

6.        中村雅一:
バイオナノ接合を利用したカーボンナノチューブ熱電複合材料における熱およびキャリア流の独立制御, 高分子 63 (11), 795–796 (2014.11).

7.        中村雅一:
有機トランジスタを用いたTHz波センサのための基礎技術,応用物理学会M&BE誌,25 (3)219–224 (2014.8).

 

8.        松原亮介, 中村雅一:
放射光を用いた高角度分解能インプレーンX線回折による有機多結晶薄膜の結晶構造解析, 応用物理学会M&BE誌,25 (2)117–122 (2014.5).

 

9.        中村雅一:
フレキシブル環境発電デバイスをめざした「やわらかい」熱電材料の探索, 日本熱電学会誌, 10 (3), 8–15 (2014.3).

10.      中村雅一:
フレキシブル環境発電デバイスをめざした有機熱電材料探索, 応用物理, 82 (11), 954–959 (2013.11).

11.      工藤一浩,中村雅一:
縦型有機トランジスタの開発と応用展開,応用物理, 79 11, 993–996 (2010.11).

                                        

12.      中村雅一:
有機トランジスタ−基礎と現状−,日本画像学会誌 45 1, 40–46 (2006.3).

 

13.      酒井正俊,中村雅一,工藤一浩:
有機導体ワイヤ作製技術と有機ナノデバイスへの応用,応用物理 75 3, 314–317(2006.3).

 

14.      中村雅一:
 AFM
ポテンショメトリによる有機TFTの動作時電位分布評価,応用物理学会M&BE誌,16 (3)173–178 (2005.8).

 

15.      中村雅一,工藤一浩:
有機半導体におけるキャリア移動度と結晶粒の関係,応用物理学会M&BE誌,15 (3)133–140 (2004.9).

 

16.      中村雅一, 酒井正俊, 工藤一浩:
有機ナノトランジスタ実現へ向けた要素技術の開発−配線接続, 自発的プロセス, 界面効果−,第21回高分子表面研究会講座講演要旨集,p. 7 (2003.10).

 

17.      中村雅一,工藤一浩:
AFM
ポテンショメトリとマイクロ4探針による有機材料の局所導電率評価,応用物理学会M&BE誌,13 (3)139–140 (2002.8).

 

18.      中村雅一,飯塚正明,工藤一浩:
 'Self Assembled Molecular Nano-Transistor'
−電荷移動錯体を用いた分子ワイヤおよび新型トランジスタの作製−,応用物理学会M&BE誌,12 (2)51–56 (2001.5).

 

19.      中村雅一:
走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)によるナノスケール電気特性評価,応用物理学会 結晶工学分科会 5回結晶工学セミナーテキスト,pp. 41-52 (1999).

 

20.      中村雅一:
水素終端シリコン表面上でのフタロシアニンエピタキシャル成長の分子力学シミュレーション−Si(001)上での分子配列と面内配向−,応用物理学会M&BE誌,9 (3)106-113 (1998).

 

21.      中村雅一:
走査型プローブ顕微鏡による材料のナノ構造・物性評価,化学工学会 関西支部 セミナーテキスト「新しい材料設計法への挑戦」,pp. 19-24 (1998).

22.      中村雅一,徳本洋志:
表面構造を制御した水素終端シリコン表面上でのフタロシアニンエピタキシャル成長,応用物理学会M&BE誌,8 (3)141-153 (1997).

 


【特許】(公開されたもののみ)

 

1.        中村雅一, 伊藤光洋, 山下一郎, 岡本尚文, 小林未明, 熊谷慎也:
熱電変換材料,特願2013-123525, (2013.6.12 奈良先端科学技術大学院大学出願), 特開2014-241355.

 

2.        中村雅一,増田将太郞,高木英行:
有機半導体素子及びその製造方法,特願2010-197192 (2010.9.2 千葉大学出願), 特開2012-054479, 登録番号5769144 (2015.7.3).

 

3.        中村雅一,池田征明:
縦型有機半導体デバイス,特願2009-078144 (2009.3.27 千葉大学・日本化薬()共同出願) , 特開2010-232413, 登録番号5476580 (2014.2.21).

4.        K. Fujimoto, M. Nakamura:
Porous thin-film-deposition substrate, electron emitting element, methods of producing them, and switching element and display element, US Patent, US7385231 B2 (2008.6.10).

5.        徐明生,中村雅一,工藤一浩:
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法,特願2006-213890 (2006.8.4 千葉大学出願),特開2008-041914登録番号5326100 (2013.8.2).

6.        藤本潔, 中村雅一:
多孔薄膜堆積基板, その製造方法及びスイッチング素子, 特願2005-271190 (2005.9.16 富士フイルム()出願), 特開2007-087976.

7.        藤本潔, 中村雅一:
多孔薄膜堆積基板, その製造方法及びスイッチング素子, 特願2005-271184 (2005.9.16 富士フイルム()出願), 特開2007-087974.

8.        馬場淳, 中村雅一:
単粒子膜の形成方法およびこれを用いた電気泳動表示装置の製造方法, 特願2004-019966 (2004.1.28 大日本印刷()出願) , 特開2005-215166, 登録番号4559745 (2010.7.30).

 

9.        平井 , 弘志, 工藤一浩, 中村雅一:
有機薄膜トランジスタおよびその製造装置, 特願2003- 058321 (2003.3.5 コニカ()出願), 特開2004-273512.

 

10.      中村雅一,藤本潔,工藤一浩:
有機スイッチング素子およびその製造方法, 並びに表示装置用スイッチング素子アレイ,特願2003-308032 (2003.8.29 富士写真フイルム()出願), 特開2005-079352.

 

(他3件)