【受賞概要】

　2011年5月19日から20日に開催したIEEEの国際会議International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(2011 IMFEDK)において，情報機能素子科学研究室の川村悠実さんがポスター発表を行い，Student Paper Awardを受賞しました．

【研究題目】

Low Temperature Processed ZnO Thin Film Transistors Fabricated by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition

【研究者・著者】

川村悠実

【受賞者コメント】

　幅広い分野のテーマを持つ本研究室の，それぞれの研究を高く評価していただいたことを，大変光栄に思います．いつも丁寧にご指導くださる浦岡教授，ならびに共同研究者である三井造船株式会社　服部望博士，村田和俊氏に，深く御礼申し上げます．また，共著者である博士前期課程2年　谷麻衣さんには，実験の補助をして頂きました．ご助力いただきました皆様に，心より感謝いたします．本受賞を励みに，今後も精進してまいります．

【受賞対象となった研究の内容】

　本研究は，次世代の高機能ディスプレイを実現するために必要な薄膜トランジスタの新しい材料を提案するものである．受賞の対象となった酸化亜鉛（ZnO）は透明酸化物半導体であり，低温で形成できることで，現在最も注目されている材料である．受賞者は，原子層堆積法（ALD）によって，高性能な薄膜トランジスタを形成し，動作実証している．本研究は三井造船株式会社との共同研究の成果の一部である．

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