ホーム > 教育・研究成果 > 若間範充君がThe 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai Student Paper Awardを受賞

光機能素子科学研究室の若間範充君がThe 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai Student Paper Awardを受賞

【受賞概要】

 2012年5月9日~11日に開催されたIEEE EDS Kansai Chapter 主催のThe 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2012)において,光機能素子科学研究室の若間範充君(博士後期課程2年)がStudent Paper Awardを受賞しました.

【研究題目・論文タイトルなど】

A polarization analyzing CMOS image sensor with metal wire grid in 65-nm standard CMOS technology

【研究者・著者など】

若間 範充(D2学生)
共著者:松岡 均(2011年度博士前期課程修了),安藤 圭祐(2011年度博士前期課程修了),野田 俊彦(助教),笹川 清隆(助教),徳田 崇(准教授),太田 淳(教授)

【受賞者コメント】

 この度,IMFEDK2012 Student Paper Awardを頂き,大変光栄に思います.御指導頂いた太田淳教授をはじめ御協力頂いた共著者の方々には,この場を借りて厚く御礼申し上げます.また本研究で実現したデバイスは,将来的に反応制御科学研究室の垣内喜代三教授のグループとの共同研究に利用することを目指したものです.重要な示唆を与えてくださいました反応制御科学研究室の先生方に感謝いたします.今回の受賞を励みとし,研究活動に励んで参りたいと思います.

【受賞対象となった研究の内容】

 本研究では,マイクロ流路に統合可能な高感度偏光分析CMOSイメージセンサを目指しています.今回,65 nm 標準CMOSプロセスを用いて構成された偏光子を搭載する高消光比偏光分析CMOSイメージセンサを試作しました.本発表では,100 nm以下の微細なプロセスを用いて可視光波長より狭いスリット形状の偏光子を実現することにより,偏光分析CMOSイメージセンサの消光比向上が可能となることを実証しました.本技術は,偏光角変化によって化学反応過程をモニタリングする不斉計測システムの小型化・高感度化に活用できるものと期待されます.



光機能素子科学研究室のホームページはこちらをご覧ください.