NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

凝縮系物性学研究室の坂田智裕君(博士後期課程2年)が、ゲートスタック研究会の服部健雄賞を受賞

2014年1月23日から25日にかけて開催されたゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第19回研究会)において,凝縮系物性学研究室の坂田智裕君(博士後期課程2年)が服部賞を受賞しました.本研究会は,応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催によるもので,ゲートスタックを中心として半導体デバイス全般に渡る産・官・学の第一線の研究者が,基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し,本分野の発展に貢献することを目的としています.
 服部賞は,特に優秀と認められ,その知見が広く半導体産業に貢献すること大であると評価された発表に授与されます.

高分解能角度分解光電子分光法によるGe(100)表面近傍のバンド構造の解明

坂田 智裕(D2), 武田 さくら(助教), Artoni Kevin Roquero Ang(D1), 北川 幸佑(M2), 久米田 晴香(M2), 小久井 一樹(M2), 竹内 克行(M1), 中尾 敏臣(M1), 桃野 浩樹(M1), 前田 昂平(M1), 大門 寛(教授)

この度,大変名誉ある賞をいただき,光栄に思います.日頃から熱心に御指導頂いている大門寛教授,武田さくら助教をはじめとし,スーパーバイザーである浦岡行治教授,香月浩之准教授には平素よりたくさんの有用なご指導ご鞭撻をいただき深く御礼申し上げます.また本研究室の北川幸祐さん(M2)には,サンプル準備のためクリーンルームでの過酷な実験補助を何度もしていただき大変感謝しております.これらの方々のご尽力なくしては,本受賞はもとより良いデータまた良い表面は得られなかったと思います.
最後に実験の度、実験結果を通して解析するのが大変なほどたくさんの新しい知見を与えてくれる私のゲルマニウムサンプルとの出会いに深く感謝します.
本受賞を励みに,今後も研究に精進いたします.

当研究室では,角度分解光電子分光という物質の特性を考える上で必要不可欠なバンド構造が直接観察できる実験手法を用いて主に半導体やひずみ半導体における表面や表面近傍の電子状態の解明を試みております.中でもゲルマニウムは,高いキャリア移動度によるデバイス高性能化が期待されており、実用化に向けてGeを用いたCMOSFETの研究が盛んに行われています.本発表では,このデバイスに用いられるGe(100)の電子状態を実験的に詳しく解析しました。その結果、Ge上にPbを吸着させ界面を作製したところ、界面からGe表面近傍に局在する界面共鳴バンドがGeのバンドと相互作用を及ぼし、Ge中のキャリアの有効質量を軽くしていることが分かりました。この研究結果は、Ge上の界面が、Ge表面近傍に影響を及ぼしているだけでなく、適切な界面を選ぶことで、Geのデバイスとしての特性をさらに向上させる可能性を示しています。

 

凝縮系物性学研究室のホームページはこちらをご覧ください.

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