NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

情報機能素子科学研究室の川村悠実さんがAM-FPD12国際会議においてStudent Paper Awardを受賞

2012年7月4-6日に龍谷大学アバンティ響都ホールにて開催されたAM-FPD 12 (ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES)国際会議において,情報機能素子科学研究室の川村悠実さんがStudent Paper Awardを受賞しました.

Effects of Gate Insulator on Thin Film Transistor with ZnO Channel Layer Deposited by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition

川村悠実(D3),堀田昌宏(助教),石河泰明(准教授),浦岡行治(教授)

AMFPDという伝統ある大きな国際会議において,我々の研究を高く評価いただいたことを,大変光栄に思います.本研究が今後の新たな技術の発展につながることを願っております.
共同研究者である三井造船株式会社 服部望博士には,いつも多大なるご支援,ご助力をいただき深く御礼申し上げます.また,いつも丁寧にご指導くださる浦岡教授はじめ,ご助力いただきました皆様に,心より感謝いたします.本受賞を励みに,今後も研究に邁進いたします.

本発表は,次世代ディスプレイへの応用が期待されている酸化亜鉛薄膜トランジスタの高機能化および低温プロセス化の可能性を示したものである.現在一般的に用いられる成膜手法においては,デバイスへの応用時における高温の熱処理が必要であることが課題となっている.この課題を解決する方法として,我々はプラズマを援用した原子層堆積(PA-ALD)法を適用することを提案した.このPA-ALDを酸化亜鉛薄膜だけでなく絶縁膜にも適用することで,熱処理なしで高機能な酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製が可能となることを実証した.

 

情報機能素子科学研究室のホームページはこちらをご覧ください.

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