NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

凝縮系物性学研究室の服部准教授らと大阪大学との研究成果が、応用物理学会のJapanese Journal of Applied Physics (JJAP)誌2014年2月の”Spotlights”論文に選ばれました。

GaNは青色LEDなど発光デバイスとして利用されている。GaN表面から光の侵入長までの領域がその発光に寄与するため表面領域での欠陥等が発光効率を大きく低下させる原因となる。しかしながら、表面領域の清浄化が発光特性に与える影響については、今までほとんど考慮されてこなかった。今回、本学の超高真空フォトルミネッセンス測定装置を用いて、超高真空中にて表面酸化物や表面ダメージ層、水素非発光中心を大きく減少させることにより、未処理試料に対して100倍以上の発光効率を上昇させることに成功した。これら表面領域清浄化と発光効率に関する知見はGaN発光デバイスの性能向上のみならず、他の半導体光学デバイスへの応用を考える上でも重要となる。

“Enhancement of photoluminescence efficiency from GaN(0001) by surface treatments”

Azusa N. Hattori, Ken Hattori, Yuta Moriwaki, Aishi Yamamoto,Shun Sadakuni, Junji Murata, Kenta Arima, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi,Hiroshi Daimon, Katsuyoshi Endo

Jpn. J. Appl. Phys. 53 021001 (2014)

“Spotlights”リンク先:
http://jjap.jsap.jp/spotlights/index.html

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