NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

IEEE「2010 IMFEDK」で微細素子科学講座の岡本大君が「Best Paper Award」を受賞

2010年5月13日~14日に開催されたIEEEの国際会議The 2010 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(2010 IMFEDK)において,微細素子科学講座の岡本大君が口頭発表を行い,「Best Paper Award」を受賞しました.この賞は一般講演のうち,最も優れた論文に与えられる賞です.

Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide

岡本大,矢野裕司,平田憲司,小竹慎也,畑山智亮,冬木隆

このような賞をいただくことができ,光栄に思います.目標としていた国際会議で賞が取れて,非常に嬉しく思います.今後も次の目標に向けて努力し,世界を驚かせる成果を発信していきたいと思います.

SiCを用いた次世代省エネデバイスは,CO2 25%削減を実現する必須技術として早期の実用化が求められている.しかし,絶縁膜-半導体界面(MOS界面)に高密度の欠陥が存在するため,得られるデバイスの特性は非常に悪いものであった.
本研究では,リンをMOS界面に導入する新しい方法を用いて,従来の窒素をMOS界面に導入する方法の2~3倍の特性を得ることに成功した.また,特性向上の背景にあるメカニズムについても明らかにすることができた.

微細素子科学講座のホームページはこちらをご覧ください.

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