NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

凝縮系物性学講座 田畑裕貴君が第16回ゲートスタック研究会において服部賞を受賞

2011年1月21日から23日にかけて開催されたゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第16回研究会)において,凝縮系物性学講座の田畑裕貴君(博士前期課程2年)が服部賞を受賞しました.本研究会は,応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催によるもので,ゲートスタックを中心として半導体デバイス全般に渡る産・官・学の第一線の研究者が,基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し,本分野の発展に貢献することを目的としています.
服部賞は,特に優秀と認められ,その知見が広く半導体産業に貢献すると評価された若手研究者二名に対して授与されます.

高分解能角度分解光電子分光測定による高濃度n型Si(001)及びp型歪みSi(001)表面の電子状態

(発表者)田畑裕貴(M2)
(主な共著者)武田さくら(助教), 大門寛(教授)

この賞は同じ研究グループであり別の発表を行った松岡弘憲さん(M2)も同時に頂きました.私達の研究内容を高く評価して頂いたことを大変嬉しく,とても光栄に思います.また,熱心かつ丁寧なご指導をいただいた大門寛教授,武田さくら助教をはじめとする本講座の教員・学生の皆様,ならびに共同研究者の半導体理工学研究センター(STARC)の吉丸正樹氏,副指導教員の光機能素子科学講座,太田淳教授に心より感謝します.特に,共著者の森田誠さん(D3),松岡弘憲さん(M2)には装置の保守や解析など多くの面で助けて頂きました.また前島尚行さん(M2),坂田智裕さん(M1)には実験の補助をして頂きました.彼らの惜しみない協力なくして本受賞は実現し得えませんでした.心より感謝致します.

私達が用いている半導体素子の電子状態は教科書に載っているような単純なものではなく,非常に複雑であります.その複雑化の原因には,狭い反転層に電子が閉じ込められることで形成されるホールサブバンド,歪みの印加によるバンド構造の変化が挙げられます.これまでは理論計算による研究が主流でありましたが,その電子状態は未だ完全には解明されておりません.本研究では角度分解光電子分光という手法を用いることで,Siのホールサブバンド及び歪みSiの電子状態を実験的に直接測定することに成功しました.

凝縮系物性学講座のホームページはこちらをご覧ください.

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