NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

凝縮系物性学研究室の坂田智裕君(博士後期課程3年)が、国際会議ISSS-7(The 7-th International Symposium on Surface Science)のBest Poster Awardを受賞

2014年11月2日から6日にかけて開催された国際会議ISSS-7(The 7-th International Symposium on Surface Science)において,凝縮系物性学研究室の坂田智裕君(博士後期課程3年)がBest Poster Awardを受賞しました.

Metal Adsorption Effect on the Band structure of Ge(001) within Subsurface Region

坂田 智裕, 武田 さくら, 入江 広一郎, 大門 寛

この度,大変名誉ある賞をいただき,光栄に思います.日頃から熱心に御指導頂いている大門寛教授,武田さくら助教をはじめとし,スーパーバイザーである浦岡行治教授,香月浩之准教授には平素よりたくさんの有用なご指導ご鞭撻をいただき深く御礼申し上げます.また本研究室の入江広一郎さん(M1)には,サンプル準備のためクリーンルームでの過酷な実験補助を何度もしていただき大変感謝しております.これらの方々のご尽力なくしては,本受賞はもとよりよいデータまたよい表面は得られなかったと思います.
この国際学会は、三年に一度開催されており、私がM2の時にも出席させていただきました.その際この賞を受賞されている方々の研究成果を聞き、手の届かない賞であると実感していただけに喜びもひとしおです.
本受賞を励みに,今後も研究に精進いたします.

当研究室では,角度分解光電子分光という物質の特性を考える上で必要不可欠なバンド構造が直接観察できる実験手法を用いて,主に半導体やひずみ半導体における表面や表面近傍の電子状態の解明を試みております.中でもGeは,高いキャリア移動度によるデバイス高性能化が期待されており、実用化に向けてGeを用いたCMOSFETの研究が盛んになされています.本発表では,このデバイスに用いられるGe(001)の電子状態の金属吸着効果を実験的に詳しく解析しました。その結果、Ge上にPbを吸着させ界面を作製したところ、界面からGe表面近傍に局在する表面共鳴バンドがGeのバンドと相互作用を及ぼし、Geの電子状態を大きく変調している事が分かりました。またこの表面共鳴バンドの発現の吸着原子依存性や、表面共鳴バンドの分散形状のPb吸着量依存性を明らかにしました。

 

凝縮系物性学研究室のホームページはこちらをご覧ください

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