NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

情報機能素子科学研究室の番貴彦君(博士後期課程2年)が第20回ゲートスタック研究会において安田賞を受賞

2015年1月29日~31日に東レ研修センターにて開催されました「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回)において,情報機能素子科学研究室の番貴彦君(博士後期課程2年)が安田賞(若手奨励賞:プロセス部門)を受賞しました.同賞は20件のオーラル発表の中から優秀な若手研究者2名に授与されました.

ナノ粒子埋込V溝型 Junction-less FETにおけるメモリ効果発現と評価

番 貴彦(D2), 上沼 睦典 (助教), 右田 真司 (産総研), 岡本 尚文(研究員), 石河 泰明(准教授), 山下 一郎(教授), 浦岡 行治(教授)

この度,第20回ゲートスタック研究会において,私たちの研究内容を高く評価していただいたことを大変光栄に感じております.今回の受賞に関しまして,浦岡教授を始めとしてご指導いただきました研究室の皆様に,この場を借りて深く御礼申し上げます.

半導体素子の高性能化の指針の一つに微細化があります。特に極微細領域では新規の物性・機能発現が見込まれ、10 nm以下の素子を用いた研究が重要となっています。そこで共同研究者である右田らは、ウェットエッチングによってチャネル長3 nm、チャネル厚さ約1 nmの超微細素子を形成するV溝型のJunction-less FET(JL-FET)を考案しました。さらに本研究では、V溝底部のチャネル上に酸化鉄ナノ粒子をフローティングゲートとして配置することで、10 nm以下の素子においてメモリ効果を発現させることに成功しました。ナノ粒子の配置には、超分子タンパク質を利用することで、ナノ構造を作製および選択的に配置する技術をもつバイオナノプロセスを用いました。本研究により電荷のトラップが10 nm以下の素子に与える影響を、実デバイスを用いて評価、解析されることが期待されます。

 

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