情報機能素子科学研究室の山﨑はるかさんがIDW’15国際会議でOutstanding Poster Paper Awardを受賞
受賞概要
2015年12月9日 – 11日に大津プリンスホテルにて開催されたIDW’15 (The 22th International Display Workshops) 国際会議において、情報機能素子科学研究室の山﨑はるかさん（博士後期課程3年）が講演奨励賞を受賞しました。同賞は、フレキシブルディスプレイ部門のポスター発表者(20名)の中から最優秀発表者の1名に贈られるものです。
- 研究題目・論文タイトル
Thermal Analysis of Oxide Thin Film Transistor with Fluorinated Silicon Nitride Gate Insulator
- 研究者・著者
山﨑はるか, 石河泰明, 藤井茉美, J. P. S. Bermundo, 高橋英治, 安東靖典, 浦岡行治
H. Yamazaki, Y. Ishikawa, M. N. Fujii, J. P. S. Bermundo, E. Takahashi, Y. Andoh, Y. Uraoka
受賞者コメント
この度非常に貴重な賞をいただいたことを大変光栄に感じております．サンプルの提供並びに有益なご助言を数多くいただきました，日新電機(株) 高橋英治博士，安東靖典博士にこの場をお借りしまして厚く御礼申し上げます．また，いつも丁寧にご指導くださっている浦岡教授をはじめとして，石河准教授、そして日頃よりご指導•ご鞭撻を賜りました諸先生方，諸先輩方に心より感謝いたします．本受賞を励みに，今後も研究に邁進いたします．最後に，日頃より良き相談相手となり、精神的な支えとなってくれた研究室員の皆さまに深く感謝いたします．
受賞対象となった研究の内容
本発表は，次世代ディスプレイへの応用が期待されている非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの発熱による劣化を低減する可能性を示唆したものです．絶縁膜の原料ガスとしてSiF4とN2を用いたフッ化シリコン窒化膜を絶縁膜に用いることで界面準位を減少させ、TFT駆動時の発熱を減少させることに成功しました．また，絶縁膜による電流拡散の違いを明らかにしました．この知見は，非晶質InGaZnO薄膜トランジスタを用いた次世代ディスプレイの実現に有用であると考えられます．
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