NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

情報機能素子科学研究室のDianne Corsinoさん(博士前期課程1年)がEM-NANO2017でStudent Paper Awardを受賞

2017年6月19 – 21日に福井市の福井県民ホール・アオッサで開催されたEM-NANO2017国際会議において、情報機能素子科学研究室のDianne Corsinoさん(博士前期課程1年)がStudent Paper Awardを受賞しました。本賞は発表件数60件から6件が選ばれました。

Al2O3 Passivation of Amorphous IGZO Thin Film Transistors through Atomic Layer Deposition using Dimethylaluminum Hydride

Dianne Corsino, Juan Paolo Bermundo, Kiyoshi Takahashi, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka

I am honored to have received this kind of recognition from the EM-NANO 2017. I would especially like to thank my co-authors for the unwavering support and guidance, and all the inputs they have contributed for the paper. It is very pleasing to know that our hard work is being paid off through these awards. With this, we will continue working smarter on our research to contribute more to science literature.

アモルファスInGaZnOは、その高い移動度および優れた均一性のために、薄膜トランジスタのチャネル材料として一般的に用いられてきた。Al2O3のようなパッシベーション層は、通常、デバイスの安定性を改善するために必要とされる。本研究では、原子層堆積によるAl2O3パッシベーションの新しい前駆体材料であるジメチルアルミニウムハイドライド(DMAH)に注目し、一般的に使用されているトリメチルアルミニウム(TMA)と比較した。 その結果、DMAHにより作製したAl2O3を有したTFTがTMAによるものと同等の移動度、より低いサブスレッショルドスイングおよびより低いオン電圧を示し、Al2O3前駆体として有望であることを示した。

 

情報機能素子科学研究室のホームページはこちらをご覧ください。

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