NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

情報機能素子科学研究室の藤本裕太君(博士後期課程2年)が第78回応用物理学会秋季学術講演会においてPoster Awardを受賞

2017年9月5日から8日にかけて開催された第78回応用物理学会秋季学術講演会において,藤本裕太君(博士後期課程2年)がPoster Awardを受賞しました。同賞は第78回応用物理学会秋季学術講演会で発表された1191件のポスター講演のうち、特に優れた講演を行った25名に対して授与されました。

光電子回折・分光法を用いた絶縁膜/GaN界面の電子状態と原子構造の評価

藤本裕太、上沼睦典、太田紘志、松井文彦、石河泰明、浦岡行治

この度は第78回応用物理学会秋季学術講演会 (JSAP Autumn Meeting 2017) において,私たちの研究内容を高く評価していただき、半導体分野における大変栄誉ある賞をいただいたことを,大変光栄に思います.今回の受賞に関しまして,浦岡教授を始めとして,松井准教授,上沼助教,及びご指導いただきましたグリーンナノシステム研究室,凝縮系物性学研究室のスタッフの方々と研究室の皆様に,この場を借りて深く御礼申し上げます.次世代GaNパワーデバイスの開発に向けデバイス性能に関わる物性検証が高く評価され受賞に至ったのだと思います.本賞を励みに,今後とも日本の物質科学の発展に貢献していきたいと思います.

GaN-MOS構造における異種接合界面品質によって閾値電圧変動などの信頼性低下が問題となっており界面制御技術の確立や界面物性解析は必須課題である.これまでに我々は高圧水蒸気を熱処理雰囲気として用いる高圧水蒸気処理によりAl2O3/GaN界面の界面準位密度が低減することを報告している.しかし,Al2O3/GaN界面の欠陥準位の起源については未解明なままである.そこで,欠陥準位の起源解明に向け,放射光を利用した光電子回折パターン評価によりAl2O3/GaN界面における電子状態及び原子構造の解明を試みた.その結果,GaN最表面においてGaサイト中にAl原子が入っていることが確認された.さらに,Al2O3/GaN界面においてGaサイト中に入り込んだAl原子及びGaは未処理においてGa最表面でOと一部結合を形成しており,高圧水蒸気処理により未結合だったGaがGa-O結合を形成する事で界面改質に結びついていると明らかとなった.本結果は産業的にも学術的にも意義があり実用化の推進に貢献できると考える.

 

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