NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

情報機能素子科学研究室の木瀬香保利さん(博士後期課程3年)が薄膜材料研究会でStudent Paper Awardを受賞

2017年10月20日 – 21日に京都の龍谷大学アバンティホールにて開催された薄膜材料研究会 第14回研究集会において、情報機能素子科学研究室の木瀬香保利さん(博士後期課程3年)がスチューデントアワードを受賞しました。同賞は、発表者39名の中から優秀学生発表者の3名に贈られるものです。

ゲートおよびドレイン電界印加による非晶質IGZO薄膜トランジスタの微小発光現象

木瀬香保利、藤井茉美、Juan Paolo Soria Bermundo、石河泰明、浦岡行治

この度は、薄膜材料研究会にてこのような素晴らしい賞を頂き大変光栄に存じます。日々の研究成果がこのような賞につながり大変うれしく思っております。今回の受賞に関しまして、エミッション顕微鏡をお借りした浜松ホトニクス株式会社の皆様と、浦岡教授、石河准教授、藤井助教、Bermundo助教を始め、ご指導いただきました研究室の皆様に深く感謝します。この受賞を契機とし、今後も酸化物TFTの研究に励んでいく所存です。

フレキシブルディスプレイの駆動素子として注目されるIGZO TFTの劣化現象について検討した。特に我々は、TFTに電界を印加した駆動時に、TFTから生じる発光に着目した。これは、従来の多結晶シリコンではインパクトイオン化による発光として考えられている。今回、IGZO TFTからも同様の発光を観測することに成功した。この発光は、ドレイン電界、つまりチャネルに対して平行に印加される電界の強さに比例して強くなることがわかった。チャネルに対して垂直なゲート電界では、ある電圧で発光のピークをもち、それ以上の電界では発光が減少していく。このような現象と同時に、TFT特性のキンク電流を観測し、非晶質のIGZOでもインパクトイオン化が生じていることを示唆する結果を得た。

 

情報機能素子科学研究室のホームページはこちらをご覧ください。

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