NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 ~光ナノサイエンス~

情報機能素子科学研究室の藤本裕太さん(博士後期課程3年)がThe International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 においてStudent Awardを受賞

2018年11月11-16日に金沢にて開催されたThe International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)において、情報機能素子科学研究室の藤本裕太さん(博士後期課程3年)がStudent Awardを受賞しました。同賞は、ポスター発表373 件の中から20名に贈られました。

Analyses of Electronic and Atomic Structures of Insulator/GaN Interface by Photoelectron Diffraction and Spectroscopy

藤本裕太、上沼睦典、太田紘志、松井文彦、石河泰明、浦岡行治

この度はThe International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)において、私たちの研究内容を高く評価していただき、GaN分野における大変栄誉ある賞をいただいたことを、大変光栄に思います。今回の受賞に関しまして、浦岡教授を始めとして、松井准教授、上沼助教、及びご指導いただきましたスタッフの方々と研究室の皆様に、この場を借りて深く御礼申し上げます。次世代GaNパワーデバイスの開発に向け重要課題である界面制御のための詳細な物性評価が高く評価され受賞に至ったのだと思います。

GaN-MOS構造における界面品質によって閾値電圧変動などの信頼性低下が問題となっており界面制御技術の確立や界面物性解析は必須課題である。これまでに我々は高圧水蒸気処理によりAl2O3/GaN界面の界面準位密度が低減することを報告している。しかし、Al2O3/GaN界面の欠陥準位の起源については未解明なままである。そこで、欠陥準位の起源解明に向け、放射光を利用した光電子回折パターン評価によりAl2O3/GaN界面における電子状態及び原子構造の解明を試みた。その結果、GaN最表面においてGaサイト中にAl原子が入っていることが確認され、極薄のAlGaN遷移層が形成されていることが明らかとなった。この層は水蒸気処理の有無にかかわらず確認されたことから、成膜時に形成されたと考えられる。これらのAl原子は、GaN結晶中のGa欠損を補填することから、界面準位密度低減に寄与していると考えられるが、電気特性へ与える影響については、さらに詳細な研究が必要である。

 

情報機能素子科学研究室のホームページはこちらをご覧ください。

トピックス

  • Youtube 物質創成科学領域・オフィシャルチャンネル
  • 大学へのアクセス・問合せ

ピックアップコンテンツ

  • ナノテクノロージープラットフォーム