NAIST 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 ~光ナノサイエンス~

情報機能素子科学研究室の山崎はるかさん(博士後期課程1年)が応用物理学会秋季講演会で講演奨励賞を受賞

2013年9月16日-20日に同志社大学にて開催された応用物理学会秋季講演会において,情報機能素子科学研究室の山崎はるかさん(博士後期課程1年)が講演奨励賞を受賞しました.同賞は応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した若手会員に対し授与されるものです。

アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中のフッ素が信頼性に与える影響

山﨑はるか(D1),石河泰明(准教授),上岡義弘(D3),浦川哲(M2),藤原将喜,高橋英治,安東靖典,浦岡行治(教授)

この度非常に貴重な賞をいただいたことを大変光栄に感じております.サンプルの提供並びに有益なご助言を数多くいただきました,日新電機株式会社 藤原将喜様,高橋英治博士,安東靖典博士にこの場をお借りしまして厚く御礼申し上げます.

また,いつも丁寧にご指導くださる浦岡教授はじめ,石河准教授や日頃よりご指導ご鞭撻を賜りました諸先生方,先輩方に心より感謝いたします.本受賞を励みに,今後も研究に邁進いたします.最後に,日頃より良き相談相手となり精神的な支えとなってくれた研究室のメンバーに深く感謝いたします.

本発表は,次世代ディスプレイへの応用が期待されている非結晶InGaZnO薄膜トランジスタの高信頼性化を実現したものです.絶縁膜の原料ガスとしてSiF4とN2を用いることで絶縁膜中に含まれる水素の量を減少させトランジスタの高信頼性化に成功しました.

また,絶縁膜中にフッ素を含むことでトランジスタの信頼性がさらに向上するというメカニズムを明らかにしました.これにより,非結晶InGaZnO薄膜トランジスタを用いた次世代ディスプレイの実現が期待されています.

 

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