Ph.D. candidate, 3rd year| 2014.02-2014.04 | GaN Device Technology, RWTH Aachen University, Germany 客員研究員 |
| 2014.01-2014.02 | University of California, Davis, USA 英語語学研修 |
| 2013.04- | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 博士後期課程 |
| 2011.04-2013.03 | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 博士前期課程 修了 |
| 2009.04-2011.03 | 島根大学 総合理工学部 電子制御システム工学科 卒業 |
| 2006.04-2008.06 | リコーテクノシステムズ株式会社 |
| 2001.04-2006.03 | 久留米工業高等専門学校 制御情報工学科 卒業 |
| 1. |
Joel T. Asubar1, Yohei Kobayashi1, Koji Yoshitsugu, Zenji Yatabe2, Hirokuni Tokuda1, Masahiro Horita, Yukiharu Uraoka, Tamotsu Hashizume2, and Masaaki Kuzuhara1, 1University of Fukui, 2 Hokkaido University, |
| "Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High Pressure Water Vapor Annealing", | |
|
IEEE Trans. Elec. Dev., 62, 8, pp.2423–2428 (2015). | |
| 2. |
Jun Tanaka1, Yoshihiro Ueoka, Koji Yoshitsugu, Mami Fujii, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka, Kazushige Takechi1, and Hiroshi Tanabe1, 1NLT Technologies, Ltd., |
| "Comparison between Effects of PECVD-SiOx and Thermal ALD-AlOx Passivation Layers on Characteristics of Amorphous InGaZnO TFTs", | |
|
ECS J. Solid State Sci.Technol., 4, 7, Q61 (2015). | |
| 3. |
Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka, |
| "Leakage Current Reduction in ALD-Al2O3 Dielectric Deposited on Si by High Pressure Deuterium Oxide Annealing", | |
|
ECS Trans., 67, 1, 205 (2015). | |
| 4. |
Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka, |
| "Characterizations of Al2O3 gate dielectric deposited on n-GaN by plasma-assisted atomic layer deposition", | |
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Phys. Stat. Sol. (c), 10, No. 11, pp.1426-1429 (2013) |
| 1. |
Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka "Influence of Annealing at High Pressures Water for Atomic-Layer-Deposited Al2O3 on GaN" International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN), WeEPLt2, Wrocław, Poland, August (2014) Poster |
| 2. |
Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka "Insulating properties of atomic layer deposited Al2O3 gate dielectric on GaN" The 40th International Symposium on Compound Semiconductors 2013 (ISCS), MoPC-02-10, Kobe, Japan, May (2013) Poster |
| 3. |
Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka "Leakage current characteristics of n-GaN MOS capacitor with Al2O3 gate dielectric deposited by plasma-assisted atomic layer deposition" 9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), Session3-3, Smolenice, Slovakia, November (2012) Oral |
| 4. |
Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka "Reforming of Al2O3 gate dielectric on n-GaN by high-pressure water vapor annealing" International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN), TuP-LN-12, Sapporo, Japan, October (2012) Poster |
| 5. |
Koji Yoshitsugu, Kosuke Ohara, Nozomu Hattori1, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka 1Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. "Effect of high-pressure deuterium oxide annealing on Al2O3 deposited by plasma-assisted atomic layer deposition at low temperature" The 2012 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK 2012), B-1, Osaka, Japan, May (2012) Oral |
| 1. |
吉嗣 晃治, 堀田 昌宏1, 多田 雄貴, 冨永 雄太, 石河 泰明, 浦岡 行治 1京大院工 "高圧水蒸気を用いて熱処理したGaN MIS構造の電気的特性評価" 先進パワー半導体分科会第2回講演会, P-89, 大阪国際交流センター, 11月 (2015) ポスター発表 |
| 2. |
吉嗣 晃治, 堀田 昌宏1, 多田 雄貴，石河 泰明, 浦岡 行治 1京大院工 "GaN MIS界面特性における高圧水蒸気処理の効果" 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 15a-4C-8, 名古屋国際会議場, 9月 (2015) 口頭発表 |
| 3. |
吉嗣 晃治, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治 "高温高圧水蒸気を用いた熱処理によるGaN系MIS構造の絶縁膜及び界面特性の向上" 第20回ゲートスタック研究会, 3-2, 東レ総合研修センター, 1月 (2015) 口頭発表 |
| 4. |
吉嗣 晃治, 堀田 昌宏, 浦川 哲, 石河 泰明, 浦岡 行治 "高圧水蒸気処理によるALD-Al2O3/GaN構造の改質機構の考察" 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-A22-12, 北海道大学, 9月 (2014) 口頭発表 |
| 5. |
吉嗣 晃治, 梅原 智明, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治 "高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性" 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM), SDM2013-117, 奈良先端科学技術大学院大学, 12月 (2013) 口頭発表 |
| 6. |
吉嗣 晃治, 梅原 智明, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治 "n-GaN上ALD-Al2O3膜に対する高圧水蒸気処理の効果" 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-D7-4, 同志社大学, 9月 (2013) 口頭発表 |
| 7. |
吉嗣 晃治, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治 "プラズマアシスト原子層堆積法によるGaN MISゲート絶縁膜用Al2O3の絶縁特性" 第60回応用物理学会春季学術講演会, 27p-G4-10, 神奈川工科大学, 3月 (2013) 口頭発表 |
| 8. |
吉嗣 晃治, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治 "高圧重水処理によるAl2O3ゲート絶縁膜の改質" 第73回応用物理学会学術講演会, 12a-F4-5, 愛媛大学, 9月 (2012) 口頭発表 |
| 1. |
冨永 雄太，上野 勝典1, 吉嗣 晃治, 多田 雄貴, 石河 泰明, 浦岡 行治 1富士電機株式会社 "GaN系MOSデバイスへの応用に向けたSiO2ゲート絶縁膜の堆積手法の検討" 先進パワー半導体分科会第2回講演会, P-93, 大阪国際交流センター, 11月 (2015) |
| 2. |
Yuki Tada, Masahiro Horita1, Koji Yoshitsugu, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka 1Kyoto University "Reforming of Thermally Oxidized Film on GaN by Annealing with High-Temperature and High-Pressure Water" International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2015), E54, Katsura Campus, Kyoto University, Nobember (2015) |
| 3. |
Yohei Kobayashi1, Joel T. Asubar1, Koji Yoshitsugu, Hirokuni Tokuda1, Masahiro Horita, Yukiharu Uraoka, and Masaaki Kuzuhara1 1University of Fukui "Suppressed Current Collapse in High Pressure Water Vapor Annealed AlGaN/GaN HEMTs" 2015 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Tehnology (CS Mantech), Session 9-5, Scottsdale, Arizona, USA, May (2015) |
| 4. |
小林 洋平1, Asubar Joel1, 吉嗣 晃治, 谷田部 然治2, 徳田 博邦1, 堀田 昌宏, 浦岡 行治, 橋詰 保2, 葛原 正明1 1福井大学大学院工学研究科, 2北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター "高圧水蒸気処理によるAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制" 第62回応用物理学会春季学術講演会, 12p-A21-11, 東海大学, 3月 (2015) |
| 5. |
梅原 智明, 堀田 昌宏, 吉嗣 晃治, 石河 泰明, 浦岡 行治 "水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の絶縁特性改善" 第62回応用物理学会春季学術講演会, 13a-A24-8, 東海大学, 3月 (2015) |
| 6. |
梅原 智明, 堀田 昌宏, 吉嗣 晃治, 石河 泰明, 浦岡 行治 "水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成" 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM), SDM2014-131, 京都大学, 12月 (2014) |
| 7. |
小林 洋平1, 吉嗣 晃治, 徳田 博邦1, 堀田 昌宏, 浦岡 行治, 葛原 正明1 1福井大学大学院工学研究科 "AlGaN/GaN HEMTにおける高圧水蒸気処理による電流コラプスの抑制" 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-A22-9, 北海道大学, 9月 (2014) |
| 8. |
Jun Tanaka1, Yoshihiro Ueoka, Koji Yoshitsugu, Mami Fujii, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka, Kazushige Takechi1, and Hiroshi Tanabe1 1NLT Technologies, Ltd. "Hydrogen Behavior from ALD Al2O3 Passivation Layer for Amorphous InGaZnO TFTs" 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), L-2, Kyoto, Japan, July (2014) |
| 9. |
Yumi Kawamura, Li Lu, Koji Yoshitsugu, Mai Tani, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka "Effects of gate insulator on thin film transistor with ZnO channel layer deposited by plasma assisted atomic layer deposition" 8th International Thin-Film Transistor Conference (ITC), Ox18, Lisbon, Portugal, January (2012) |
| 1. |
"CONFERENCE REPORT CS MANTECH: Cutting current collapse",
Compound Semiconductor Magazine, Volume 21, Issue 5, July 2015| 2. |
奈良先端科学技術大学院大学,
"EV, 5倍以上走れます",
産経新聞 朝刊2面, 平成25年10月16日 | 3. |
"「これからの日本」のものづくり",
応用物理, 第82巻, 第8号, pp.635–639, 2013 | |
| 2015 | 平成27年度競争的研究支援，50万円 | 2014 | 平成26年度競争的研究支援，15万円 | 2013 | 平成25年度競争的研究支援，15万円 | 2013 | 平成25年度NAIST優秀学生奨学生表彰 | 2012 | 平成24年度競争的研究支援，10万円 |
| 2013 | 奈良先端科学技術大学院大学 修士論文 指導教官:浦岡行治 教授 |
| 「GaN電界効果トランジスタのゲート絶縁膜応用に向けた原子層堆積法によるAl2O3膜の形成と評価」 | |
| 2011 | 島根大学 学士論文 指導教官:土屋敏章 教授 |
| 「MOS界面トラップのエネルギー準位揺らぎの評価」 | |
| 2006 | 久留米工業高等専門学校 準学士論文 指導教官:赤坂則之 教授 |
| 「自動果実袋掛け機の3次試作」 |