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物性情報物理学研究室の川村聡太さん(博士前期課程2年)が日本物理学会、2022年秋季大会において学生優秀発表賞を受賞

受賞概要

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2022年9月12- 15日に東京工業大学(大岡山キャンパス)で開催された日本物理学会、2022年秋季大会において、物性情報物理学研究室の川村聡太さん(博士前期課程2年)が学生優秀発表賞を受賞しました。同賞は、大会での学生の積極的な研究発表を奨励し、大会講演の活性化、ひいては将来を担う人材育成を図るために、授与されるものです。

【写真左から松下智裕教授、川村聡太さん、橋本由介助教】

研究題目・論文タイトル

As、Bを共ドープしたSi中のB原子の局所構造解析

研究者・著者

川村聡太(M2)、竹内走一郎(修了生)、古賀峻丞(修了生)、富田広人(M2)、
星井拓也(助教、東工大)、筒井一生(教授、東工大)、橋本由介(助教)、松下智裕(教授)

受賞者コメント

この度は学生優秀発表賞を授与していただき、大変光栄に思います。日々ご指導を仰いでおります物性情報物理学研究室の先生方ならびに学生の皆様、東京工業大学の先生方に厚くお礼申し上げます。今後もより一層、研究活動に精進してまいります。

受賞対象となった研究の内容

Si半導体において、キャリアの電子濃度を増やすため、不純物であるAs濃度を高くしてしまうと、通常は不純物クラスターを形成して電気特性の向上が見込めなくなる。ところが、理論計算により、AsとBを共ドープすることにより、As-B-Asクラスターが形成され、活性化できるAs濃度の限界を打破できることが予測された。実際に共ドープした試料を作成したが、As-B-Asクラスターの形成が実際にできているかは不明であったため、このクラスターの原子配列の観測は重要な課題であった。受賞者らは局所構造解析に特化した光電子ホログラフィーと、主成分分析によるデータ処理を用いることで、As-B-Asクラスターの形成の観測に成功した。


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