1. ホーム
  2. Topics
  3. 教育・研究成果
  4. 情報機能素子科学研究室のAimi Syairahさん(博士後期課程3年)がIEEE IMFEDK国際会議で優秀学生賞を受賞

情報機能素子科学研究室のAimi Syairahさん(博士後期課程3年)がIEEE IMFEDK国際会議で優秀学生賞を受賞

受賞概要

Aimi本文.png

IEEE(米国電気電子学会)が主催するIMFEDK(The 2021 International Meeting for Future of Electron Device, Kansai)は次世代半導体デバイスの国際会議で、半導体材料や、デバイス、プロセスについて研究開発する企業や大学などの研究者が集まって、活発に議論されました。今年度は、2021年11月18から19日まで、ONLINEで開催されました。この賞は30件の発表から3件の学生に受賞されました。

研究題目

"Solution-processed Barium Titanate/Polysiloxane Polymer Thin Film for Memory Application"
液体プロセスを使ったチタン酸バリウム/ポリシロキサン ポリマーのメモリ応用"

研究者

Aimi Syairah(博士後期3年), Juan Paolo S. Bermundo, Mutsunori Uenuma, Atsuko Yamamoto, and Yukiharu Uraoka

受賞者コメント

このような賞をいただき、大変うれしく思います。日頃より手厚いご指導を頂いた先生方、多方面からご支援を頂いた共著者・関係者の皆様に心より感謝を申し上げます。今後とも薄膜半導体素子の研究の発展に貢献いたします。

受賞対象となった研究の内容


白色粉末チタン酸バリウム(BaTiO3 / BTO)は、正方晶の結晶形で強誘電特性を持ち、大きなメモリウィンドウと高いプログラム/消去速度を示し、低い動作電圧で優れたメモリ機能を提供します。ただし、BTOナノ粒子は、特に大きなナノ粒子サイズでは非常に脆く、誘電特性も理想的ではありません。この問題に対処するために、無機-有機ポリシロキサン(PSX)ポリマーを導入して、優れたメモリ特性を維持しながら処理温度を下げました。この新しく検討されたBTOPSXナノコンポジットは、他のナノコンポジット材料と比較して、低い印加電圧で大きなヒステリシス特性を示し、プロセス温度が制限された複雑な3D積層構造を備えた高性能メモリデバイスに適用できる低い温度で製造可能です。



情報機能素子科学研究室のホームページはこちらをご覧ください。