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情報機能素子科学研究室のBermundo Paolo Juan助教がAMFPD22国際学会でECS Young Researcher Awardを受賞

受賞概要

ベルモンド先生写真本文.JPG

2022年7月5日から8日まで開催されましたAMFPD国際学会において、情報機能素子科学研究室のBermundo Paolo Juan助教がECS Young Researcher Awardを受賞しました。同賞は約50件の口頭講演およびポスターから1名の優秀発表者に授与されました。

研究題目

High-k Solution Processed Hybrid Gate Insulators for Amorphous Oxide Thin-Film Transistors and its Temperature and Thickness Dependence

研究者

Bermundo Paolo Juan

受賞者コメント

I am greatly thankful to my colleagues, collaborators, and Prof. Uraoka for their invaluable help and support in this research. In particular, I wish to thank Ms. Kesorn and Dr. Yoshida for their excellent contributions in this study. I will continue to do my best to contribute to the realization of sustainable flexible electronics.

受賞対象となった研究の内容


次世代半導体デバイスは、高性能で低消費電力であることが必要とするため、誘電率(k)の高いゲート絶縁材料の開発が必要になる。彼は、high-k BaTiOxナノ粒子とlow-kポリシロキサンポリマーマトリックスを組み合わせることにより、high-kハイブリッドゲート絶縁材料を開発した。この組み合わせにより、プロセス温度が650°Cから300°Cに低減するだけでなく、溶液処理されたナノコンポジットフィルムのhigh-k特性も維持される。このhigh-kハイブリッド材料は、非常に高い移動度、低いターンオン電圧、および最小オフ電流を備えた酸化物薄膜トランジスタを可能にした。この研究成果は高性能なフレキシブルエレクトロニクスに有効である。

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