シリコン半導体の微細化の限界を超える次世代の電子材料として研究が進む、「グラフェン」という炭素原子が平面状に結合した物質について、半導体としての極めて優秀な電気特性を持つ、幅の広い「グラフェンナノリボン（GNR）」の作製に成功しました。このGNRは原子17個分の約2ナノメートルの幅で、電気の流れやすさに関わる「バンドギャップ」は約0.6 eV（電子ボルト）と小さく、絶縁体にも伝導体にもなる半導体の材料として最適な性質を示しました。
これまで報告されていた幅の狭いGNRと比べて省電力で動作し、電子の移動度が大きいなどのグラフェンの優れた電気特性を活かした省電力・超高速電子デバイスの実現が期待できます。この成果は、本学の物質創成科学領域　有機光分子科学研究室の林宏暢助教・山田容子教授、富士通研究所の佐藤信太郎博士・山口淳一博士、東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻 物性・光科学講座の杉本宜昭准教授・塩足亮隼助教らの共同研究としてSpringer Nature社のCommunications Materials誌に掲載されています。（https://www.nature.com/articles/s43246-020-0039-9）
加えてこの度、Communications Materials誌において、2020年のThe editor's selected 15 papersに選出されました。（https://www.nature.com/collections/ijfdijgahh）

研究題目・論文タイトル

掲載誌：Communications Materials
論文タイトル：Small bandgap in atomically precise 17-atom-wide armchair-edged graphene nanoribbons

研究者・著者

Junichi Yamaguchi, Hironobu Hayashi, Hideyuki Jippo, Akitoshi Shiotari, Manabu Ohtomo,
Mitsuhiro Sakakura, Nao Hieda, Naoki Aratani, Mari Ohfuchi, Yoshiaki Sugimoto, Hiroko Yamada, Shintaro Sato