Yoshihiro Ueoka
博士後期課程 3年
奈良先端科学技術大学院大学
物質創成科学研究科
情報機能素子科学研究室
奈良県生駒市高山町8916-5
Email: u-yoshihiro (at) ms.naist.jp
Tel: 0743-72-6064
Fax: 0743-72-6069
略歴
2011-現在 奈良先端科学技術大学院大学　博士後期課程（博士）
2009-2011 奈良先端科学技術大学院大学　博士前期課程（修士）
2005-2009 滋賀県立大学　工学部　材料科学科（学士）
2001-2004 大阪府立三島高等学校
研究テーマ
酸化物半導体を用いたTFT(薄膜トランジスタ)の作製と評価
受賞等
2013 第73回応用物理学会学術講演会, 講演奨励賞 (as coauthor)
2013 平成25年度競争的研究支援，45万円
2012 IDW/AD'12, Best Paper Award (as coauthor)
2012 平成24年度競争的研究支援，20万円
2011 平成23年度競争的研究支援，40万円
2011 平成22年度NAIST最優秀学生賞
2010 平成22年度競争的研究支援，15万円
2009 第11回キャンパスベンチャーグランプリ大阪，特別賞
論文
学術論文
  1. “Analysis of electronic structure of amorphous InGaZnO/SiO2 interface by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy”
    Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Naoyuki Maejima, Fumihiko Matsui, Hirosuke Matsui, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Masahiro Horita, Hiroshi Daimon, and Yukiharu Uraoka
    Journal of Applied Physics, 114 (2013) 163713.
  2. “Origin of Anisotropic Electrical Properties of 4H-SiC Trench Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on Off-Axis Substrates”
    Yoshihiro Ueoka, Kenta Shingu, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, and Takashi Fuyuki
    Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 110201.
プロシーデングス(査読有り)
  1. “Analysis of Electron Traps in a-IGZO Thin Films after High Pressure Vapor Annealing by Capacitance-Voltage Method”
    Yoshihiro Ueoka, Mami Fujii, Haruka Yamazaki, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    2012 MRS Spring Meeting Proceedings, Vol. 1436 (2012).
  2. “Analysis of electron traps in SiO2/IGZO interface by cyclic capacitance-voltage method”
    Yoshihiro Ueoka, Mami Fujii, Haruka Yamazaki, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for, p. 1 (2012).
  3. “Extraordinary characteristics of 4H-Sic trench MOSFETs on large off-axis substrates”
    Yoshihiro Ueoka, Hiroshi Yano, Dai Okamoto, Tomoaki Hatayama, and Takashi Fuyuki
    Material Science Forum, Vols. 679-680, p. 666 (2011).
研究発表
国際学会
  1. “Analysis of Printed Ag Electrode on a-InGaZnO”
    Yoshihiro Ueoka, Takahiro Nishibayashi, Yasuaki Ishikawa, Haruka Yamazaki, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka
    2013 SSDM, September 26, 2013, Fukuoka.
  2. “Unique property of a-InGaZnO/Ag Interface on Thin-Film Transistor”
    Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Juan Paolo Bermundo, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka
    The 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD'13), March 2, 2013, Kyoto, Japan.
  3. “Degradation Phenomena in Amorphous Oxide Thin-Film Transistor by Self-Heatin Effect”
    Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masashi Kasami, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    The 9th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2013), July 3, 2013, Tokyo, Japan.
  4. “Analysis of Electronic Structural Change in a-InGaZnO by High Pressure Water Vapor Annealing”
    Yoshihiro Ueoka, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Fumihiko Matsui, Makoto Morita, Satoshi Kitagawa, Masayoshi Fujita, Kaoru Yasuda, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Daimon, and Yukiharu Uraoka
    IDW 2012, December 6, 2012, Kyoto.
  5. “The Influence of New SiNx Gate Insulators in a-InGaZnO Thin Film Transistors ”
    Haruka Yamazaki, Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Masaki Fujiwara, Eiji Takahashi, Yasunori Andoh, and ukiharu Uraoka1
    IDW 2012, December 6, 2012, Kyoto.
  6. “Depth-resolved electronic structure analysis of IGZO/SiO2 interface by two-dimensional photoelectron spectroscopy”
    Yoshihiro Ueoka, Fumihiko Matsui, Naoyuki Maejima, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Daimon, and Yukiharu Uraoka
    2012 SSDM, September 26, 2012, Kyoto.
  7. “Analysis of Electron Traps in SiO2/IGZO Interface by Cyclic Capacitance–Voltage Method”
    Yoshihiro Ueoka, Mami Fujii, Haruka Yamazaki, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    IMFEDK 2012, May 11, 2012, Osaka.
  8. “The Analysis of Electron Traps in a-IGZO Thin Films after High Pressure Vapor Annealing by Using the Capacitance-Voltage Method”
    Yoshihiro Ueoka, Mami Fujii, Haruka Yamazaki, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    2012 MRS Spring Meeting, April 11, 2012, San Francisco, California.
  9. “Highly reliable a-InGaZnO thin film transistors with low hydrogen SiNx gate insulators”
    Haruka Yamazaki, Mami Fujii,Yoshihiro Ueoka, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    The 8th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2012) January 31, 2012, Lisbon, Portugal.
  10. “Improvement of a-IGZO TFT performance by high pressure vapor annealing”
    Mami Fujii,Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    The 8th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2012) January 30, 2012, Lisbon, Portugal.
  11. “Extraordinary characteristics of 4H-Sic trench MOSFETs on large off-axis substrates”
    Yoshihiro Ueoka, Hiroshi Yano, Dai Okamoto, Tomoaki Hatayama, and Takashi Fuyuki
    The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) August 30, 2010, Oslo, Norway.
国内会議
  1. 上岡 義弘, 石河 泰明, 松井 文彦, 前島 尚行, 松井 公佑, 堀田 昌宏, 大門 寛, 浦岡 行治
    “酸化物半導体のX 線吸収端近傍構造による電子構造解析”
    第10回薄膜材料デバイス研究会, アバンティ響都, 京都, 2013.11.1
  2. 上岡 義弘，石河 泰明，Juan Paolo Bermundo，山﨑 はるか，浦川 哲, 長田 至弘, 堀田 昌宏，浦岡 行治
    “アモルファスInGaZnO TFT における低温水素アニールの影響”
    第73回応用物理学会学術講演会, 同志社大学, 2013.9.17
  3. 上岡 義弘, 石河 泰明，Jae Gwang Um，Juan Paolo Bermundo，山﨑 はるか，浦川 哲，堀田 昌宏，Jin Jang，浦岡 行治
    “IGZO TFTにおける光照射による劣化メカニズムの解析”
    第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013.3.29
  4. 山﨑 はるか, 石河 泰明, 上岡 義弘, 藤原 将喜, 高橋 英治, 安東 靖典, 浦岡 行治
    “アモルファスInGaZnO 薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中のフッ素が信頼性に与える影響”
    第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013.3.29
  5. 浦川 哲，笘井 重和，上岡 義弘，山﨑 はるか，笠見 雅司，矢野 公規，Dapeng Wang Dapeng Wang，古田 守，堀田 昌宏，石河 泰明，浦岡 行治
    “酸化物薄膜トランジスタの自己発熱効果における劣解析”
    第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013.3.29
  6. 上岡 義弘, 前島 尚行，松井 文彦，山﨑 はるか, 浦川 哲，堀田 昌宏, 石河 泰明, 大門 寛，浦岡 行治
    “二次元光電子分光によるIGZO/SiO2界面の解析”
    第72回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, 2012.9.13
  7. 藤井 茉美, 上岡 義弘, 山﨑 はるか, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治
    “高圧水蒸気熱処理によるa-IGZO TFT特性改善効果”
    第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012.3.15
  8. 山﨑 はるか, 藤井 茉美, 上岡 義弘, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治
    “アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中水素量が信頼性に与える影響”
    第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012.3.15
  9. 新宮 剣太, 上岡 義弘, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 冬木 隆
    “オフ基板上4H-SiCトレンチMOSFETにおける電気特性の異方性の起源”
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会, 愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 2011.12.8
  10. 新宮 剣太, 上岡 義弘, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 冬木 隆
    “オフ基板上4H-SiCトレンチMOSFETにおける電気特性の異方性の起源(2)”
    第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, 2011.8.31
  11. 上岡 義弘, 矢野 裕司, 岡本 大, 新宮 剣太, 畑山 智亮, 冬木 隆
    “オフ基板上4H-SiCトレンチMOSFETにおける電気特性の異方性の起源”
    第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011.3.25
  12. 上岡 義弘, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 冬木 隆
    “4H-SiCトレンチMOSFETにおける電気特性のオフ角依存性”
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会, つくば国際会議場, 2010.10.21
  13. 上岡 義弘, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 冬木 隆
    “a面およびm面4H-SiCにおける熱酸化膜厚のオフ角依存性”
    第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 2010.9.15
その他
趣味 料理，旅行，ドライブ，二郎（にんにくヤサイちょい増し）
特技・資格
 
 		 絵画，ペーパークラフト, 唐揚検定，色彩検定3級
危険物取扱者甲種, 毒物劇物取扱責任者,
特定化学物質及び四アルキル鉛等作業主任者
所属学会
 		 応用物理学会, IEEE Electron Device Society,
日本唐揚協会, ぎょうざ倶楽部
自己アピール のほほんとしているようで，のほほんとしてます