奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域

情報機能素子科学研究室の髙橋 崇典 助教が、第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会にて 若手奨励賞/安田幸夫賞 (口頭発表)を受賞

2024年2月1日-2日に開催された第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― において、情報機能素子科学研究室の髙橋崇典 助教が若手奨励賞/安田幸夫賞 (口頭発表) を受賞しました。同賞は第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会にて発表された講演を対象とし、半導体デバイスの機能と評価の観点から極めて優れた講演（口頭・ポスター講演）を行った30歳以下の若手研究者を称えることを目的として与えられるものです。

研究題目・論文タイトル

原子層堆積法で成膜した非晶質/多結晶In-Ga-Oトランジスタの信頼性

研究者・著者

研究者・著者髙橋 崇典 (助教)、上沼 睦典 (産総研)、小林正治 (東京大学)、浦岡行治 (教授)

受賞対象となった研究の内容

これまで酸化物半導体はディスプレイにおける薄膜トランジスタの半導体材料として研究・開発が行われてきました。本研究グループでは、酸化物半導体材料を次世代の集積回路やメモリデバイスに応用することを狙っております。本研究は原子層堆積法で成膜したIn-Ga-O系酸化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおける電圧ストレスに対する信頼性劣化現象の起源を明らかにすることを目的として実施されました。我々は信頼性劣化の要因を明確化し、その改善手法の提案および概念実証を行った内容を発表しました。