情報機能素子科学研究室の博士後期課程学生 Mark D. Ilasin さんが「第59回応用物理学会講演奨励賞」を受賞

受賞概要

情報機能素子科学研究室のMark D. Ilasin さん（博士後期課程学生）は、2025年9月7日〜9月10日に開催された応用物理学会秋季学術講演会にて、「第59回応用物理学会講演奨励賞」を受賞しました。本賞は、第73回応用物理学会春季学術講演会において授与されました。受賞に伴い、同講演会にて受賞講演を行いました。

受賞対象となった研究タイトル・研究者・研究の内容・受賞者コメント

研究題目・論文タイトル

Rare-Metal-Free Solution Processed Source-Gated Transistors via Argon Plasma-Induced Contact Optimization

研究者・著者

Mark D. Ilasin (NAIST), Juan Paolo S. Bermundo (NAIST), Pongsakorn Sihapitak (NAIST), Candell Grace P. Quino (NAIST), Magdaleno R. Vasquez, Jr. (UP Diliman), Senku Tanaka (Kindai Univ.), Hidenori Kawanishi (NAIST), and Yukiharu Uraoka (NAIST)

受賞対象となった研究の内容

本発表では、代替的かつ高効率なソースゲートトランジスタ（SGT）を実現するための新規構造および作製手法について紹介しました。本手法では、アルゴン（Ar）プラズマ処理を用いてソース領域直下の半導体チャネルを選択的に制御することで、デバイス特性の最適化を達成しています。
Arプラズマ処理によりチャネルのフェルミ準位が変化し、その結果として半導体の仕事関数が調整され、金属―半導体界面において適切なショットキー障壁が形成されます。このアプローチにより、従来のSGTで用いられるような特殊なショットキーソース電極へオーミックソース電極を置き換える必要がなくなります。

受賞者コメント

このたびは本賞を賜り、またJSAPにおいてプラズマ支援酸化物半導体デバイスに関する最新の研究成果を発表する機会をいただき、大変光栄に存じます。
本研究は、奈良先端科学技術大学院大学のBermundo准教授および浦岡教授のご指導のもとで遂行されました。また、フィリピン大学のVasquez教授にも多くのご助言をいただき、心より感謝申し上げます。
さらに、共著者、研究室メンバー、情報機能素子科学研究室の皆様のご支援に深く感謝いたします。本受賞を励みに、持続可能な材料および次世代低消費電力デバイスの発展に貢献してまいります。