情報機能素子科学研究室のDian Budiarti Kastian（博士後期課程）さんが、第10回IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing（EDTM）2026において「Best Poster Award」を受賞しました

受賞概要

2026年3月1〜4日、マレーシアのSetia SPICEにて第10回 IEEE EDTM 2026が開催されました。本会議は半導体デバイス・製造分野の最先端研究を扱う権威ある国際会議です。世界23カ国から500件以上の論文投稿があり、170件超のポスター発表のうち、Best Poster Awardに選ばれたのはわずか9件でした。本会議の極めて高い水準と競争率を示す結果となりました。

受賞対象となった研究タイトル・研究者・研究の内容・受賞者コメント

研究題目・論文タイトル

Comparative study of vacuum-deposited and solution-combustion-synthesis Al₂O₃-HfO₂ gate dielectric for a-IGZO thin-film transistors

研究者・著者

Dian Budiarti Kastian, Juan Paolo S. Bermundo, Candell Grace Paredes Quino, Kosuke O. Hara, and Yukiharu Uraoka

受賞対象となった研究の内容

本研究では、溶液燃焼合成法（SCS法）を用いた Al₂O₃ および HfO₂ 高精度ゲート絶縁膜の開発、ならびにそれらを用いた a-IGZO 薄膜トランジスタ（TFT）への応用に関する研究を行っています。研究内容として、絶縁膜の成膜プロセス、界面品質、およびリーク電流や容量特性、デバイスの安定性といった電気的性能の評価・解析を行いました。本研究の結果は、SCSプロセスによる酸化物膜が、優れた絶縁性能を維持しつつ、低温かつスケーラブルな製造プロセスを実現できる可能性を強く示唆しています。

受賞者コメント

この度、IEEE EDTM 2026において「Best Poster Award」を授与され、大変光栄に存じます。本研究を遂行するにあたり、多大なるご指導と温かいご支援を賜りました浦岡行治教授、ならびにJuan Paolo Bermundo准教授に心より深く感謝申し上げます。また、日頃から多大なるご協力と励ましをいただいた情報機能素子科学研究室の学生・スタッフの皆様にも、厚く御礼申し上げます。今回の受賞を大きな励みとし、今後もより一層研究に精進してまいる所存です。誠にありがとうございました。