髙橋崇典助教が、第3回応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞a）を受賞

受賞概要

2026年3月15日、情報機能素子科学研究室の髙橋崇典助教が「第3回応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞a）」を受賞しました。

同賞は応用物理学会半導体分野将来基金をもとに、「シリコン及びその発展系」を基本にした微細半導体デバイス関連技術の研究開発において、新しい技術の開発、発明、新原理の発見、重要な現象の解明、または卓越した実証システムの構築等において顕著な業績をあげ、当該分野の学問や産業の発展に貢献した者に対して授与し、その功績をたたえることを目的とされています。若手奨励賞aは当該分野において業績をあげ、主として日本国内で研究活動を行う応用物理学会会員あるいは分科会会員の表彰年度の4月1日時点で32才以下の個人を対象に授与されるものです。

受賞対象となった研究タイトル・研究者・研究の内容・受賞者コメント

研究題目・論文タイトル

酸化物半導体の次世代集積化デバイスへの展開

研究者・著者

髙橋崇典

受賞対象となった研究の内容

次世代集積回路応用に向けた新規チャネル材料として、Ga添加In₂O₃多結晶酸化物半導体（poly-IGO）の研究に取り組み、極薄膜のナノシートチャネルを用いたトランジスタにおいて、120 cm²/Vs以上の高い真性電界効果移動度と、10-⁷ Ω cm²台の低い接触抵抗を同時に実証しました。また、熱耐性に優れるIn-Ga-O系非晶質酸化物半導体とHfO₂系強誘電体との高い親和性を明らかにし、原子層堆積法による薄膜合成を確立し、優れた電気的特性を実証しました。
これら成果は、集積回路の配線工程における高性能デバイス、ロジック混載型不揮発性メモリの三次元集積化の実現に向けた可能性と指針を示すものです。材料科学・デバイス物理・集積回路応用を融合した先進的な成果であり、産学連携も含めた実用展開が期待される点において評価されました。

受賞者コメント

半導体分野における大変栄誉ある賞を頂戴し、大変光栄に感じております。これもひとえに、推薦いただいた浦岡先生をはじめ、多くの共同研究者の皆様のご指導とご協力の賜物であり、この場を借りて深く御礼申し上げます。本賞を励みに研究活動に邁進していく所存です。