髙橋崇典助教が、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会若手優秀発表賞を受賞

受賞概要

2026年8月4日、薄膜半導体素子科学研究室の髙橋崇典助教 (発表時情報機能素子科学研究室助教) が「電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会若手優秀発表賞」を受賞しました。また、2026年8月4日-6日に開催された電子情報通信学会 2026年8月研究会において、受賞式と記念講演が行われました。

同賞は、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス（SDM）研究専門委員会が、SDM研究会において優れた研究成果を発表した若手研究者を表彰する賞です。SDM研究会で発表された研究報告の筆頭著者かつ講演者であり、講演時点で33歳未満の研究者を対象として、特に優秀な発表を行った者に年間2件以内を目安に授与されるものです。

受賞対象となった研究タイトル・研究者・研究の内容・受賞者コメント

研究題目・論文タイトル

原子層堆積法で成膜した真性移動度120 cm²/Vsを超える多結晶Ga-doped In₂O₃ナノシート

研究者・著者

髙橋崇典 (本学助教)、星井拓也 (東京科学大学)、霍間勇輝 (出光興産)、砂川美佐 (出光興産)、笘井重和 (出光興産)、朴鍾鎬 (東京科学大学)、玉元海樹 (東京科学大学)、角嶋邦之 (東京科学大学)、浦岡行治 (本学名誉/特任教授)

受賞対象となった研究の内容

次世代集積回路・メモリ応用に向けた新規チャネル材料として、Ga添加In₂O₃多結晶酸化物半導体 (poly-IGO) の研究に取り組みました。原子層堆積法を用いたpoly-IGOの合成手法を確立し、極薄膜のナノシートチャネルを用いたトランジスタへ応用しました。試作したトランジスタは120 cm²/Vs以上の高い真性電界効果移動度と10^-7 Ω cm²台の低い接触抵抗を同時に達成し、poly-IGOナノシートが次世代の半導体材料として有望であることを示しました。

受賞者コメント

栄誉ある賞を頂戴し、大変光栄に感じております。これもひとえに、共同研究者の皆様のご指導とご協力の賜物であり、この場を借りて御礼申し上げます。本賞を励みに研究活動に邁進していく所存でございます。

受賞年月日

2026年8月4日　@ 北海道大学札幌キャンパス理学部