髙橋崇典助教が、IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞

受賞概要

2026年9月17日、薄膜半導体素子科学研究室の髙橋崇典助教が「IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award」を受賞しました。

同賞は、IEEE Electron Devices Society Kansai ChapterがIEEE 主催、共催、協賛国際会議、及び IEEE 刊行のデバイス技術関連論文誌に掲載された論文のうち、関西に拠点を置く大学、企業、公的研究機関の研究者が執筆したものの中から、特に興味深い内容の優れた論文を15件選出し、その中から技術的インパクト或いは完成度の観点から最も優れていると判断された研究論文に関して、当該研究を主導したと判断される著者に授与されるものです。

受賞対象となった研究タイトル・研究者・研究の内容・受賞者コメント

研究題目・論文タイトル

ALD Polycrystalline Ga-Doped In₂O₃ (Poly-IGO) Nanosheet Exceeding Intrinsic Mobility of 120 cm²/Vs for Process-Friendly BEOL-Compatible FET Application

研究者・著者

髙橋崇典 (助教)

受賞対象となった研究の内容

受賞対象となった論文は半導体分野で最も権威のある国際会議の一つである2025 Symposium on VLSI Technology and Circuitsで発表されたものです。次世代集積回路・メモリ応用に向けた新規半導体材料として、Ga添加In₂O₃多結晶酸化物(poly-IGO) の研究に取り組みました。原子層堆積法を用いたpoly-IGOの薄膜合成手法を確立し、極薄膜のナノシートチャネルを用いた電界効果トランジスタへ応用しました。試作したトランジスタは120 cm²/Vs以上の高い真性電界効果移動度と10^-7 Ω cm²台の低い接触抵抗を同時に達成し、poly-IGOナノシートが次世代の半導体材料として有望であることを示しました。

受賞者コメント

電子デバイス分野における栄誉ある賞を頂戴し、大変光栄に感じております。これもひとえに、共同研究者の皆様のご指導とご協力の賜物であり、この場を借りて深く御礼申し上げます。本賞を励みに研究活動に邁進していく所存です。

受賞年月日

2026年9月17日