薄膜半導体素子科学研究室の星川輝さん（博士後期課程3年、発表時博士後期課程2年情報機能素子科学研究室）が、2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2026) において、「 Young Researcher Award」を受賞

受賞概要

国際学会2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2025) が9月14日から17日まで開催され、薄膜半導体素子科学研究室、博士後期課程3年 (発表時情報機能素子科学研究室博士後期課程2年) の星川輝さんが「Young Researcher Award」を受賞しました。同賞は前年のSSDM2025@パシフィコ横浜において優れた論文を発表した33歳以下の筆頭著者に授与されるものであり、SSDM2026にて受賞式が行われました。

受賞対象となった研究タイトル・研究者・研究の内容・受賞者コメント

研究題目・論文タイトル

Reduction Parasitic Resistance in Polycrystalline Ga-Doped In₂O₃ Channel Field-Effect Transistors by Using a Buffer Layer of In₂O₃-Based Conductive Oxides

研究者・著者

星川　輝 (D3)、髙橋崇典 (助教)、浦岡行治 (名誉/特任教授)

受賞対象となった研究の内容

酸化物半導体はディスプレイ用薄膜トランジスタの材料として広く研究されていますが、近年では次世代集積回路への応用も期待されています。本研究では、多結晶Ga添加In₂O₃薄膜トランジスタにおける寄生抵抗の低減を目的として、電極とチャネル界面にIn₂O₃系導電性酸化物をバッファ層として導入しました。その結果、寄生抵抗を大幅に低減できることを明らかにし、本手法は酸化物半導体を用いた高性能・微細トランジスタの実現に有効であることを示しました。

受賞者コメント

この度は、このような栄誉ある賞を賜り、大変光栄に存じます。本受賞は、日頃よりご指導いただいております浦岡先生ならびに髙橋先生のご支援の賜物であり、心より御礼申し上げます。この受賞を励みに、今後も一層研究活動に精進してまいります。

受賞年月日

2026年9月15日