薄膜半導体素子科学研究室の修了生 Mark D. Ilasin さんが「IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Award」を受賞

受賞概要

薄膜半導体素子科学研究室の博士課程修了生である Mark D. Ilasin は、2026年9月17日に開催された関西コロキアム電子デバイスワークショップにおいて、「IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Award」を受賞しました。

本賞は、IEEE Electron Devices Society（EDS）関西支部が毎年授与するものです。関西地域を拠点とする研究者による、電子デバイス物理および半導体工学分野の優れた研究論文を表彰しています。対象となる研究は、国際会議プロシーディングスおよび査読付き学術誌に掲載された優れた論文の中から総合的に審査されます。本研究は、その技術的インパクト、研究としての完成度、ならびにワークショップでの発表が高く評価され、受賞に至りました。

受賞対象となった研究タイトル・研究者・研究の内容・受賞者コメント

研究題目・論文タイトル

Fermi Energy Tuning of Solution-Processed Rare-Metal-Free Amorphous Oxide Source-Gated Transistors via Argon Plasma

研究者・著者

Mark D. Ilasin (NAIST), Juan Paolo S. Bermundo (NAIST), Pongsakorn Sihapitak (NAIST), Candell Grace P. Quino (NAIST), Senku Tanaka (Kindai Univ.), Hidenori Kawanishi (NAIST), and Yukiharu Uraoka (NAIST)

受賞対象となった研究の内容

本研究では、アルゴン（Ar）プラズマ処理を用いてソース電極直下の半導体チャネル領域の仕事関数を変化させることで、アモルファス酸化物トランジスタのフェルミ準位を制御する手法を提案しました。

この処理により、金属―半導体接合にショットキー障壁が形成されます。そのため、従来のソースゲートトランジスタ（SGT）で用いられる高仕事関数の特殊な金属電極が不要となります。この簡便な作製プロセスにより、省エネルギーデバイスをはじめとする、低消費電力かつ持続可能なエレクトロニクスの実現が期待されます。

受賞者コメント

このたびは、IEEE EDS関西支部よりMFSK Awardを賜り、大変光栄に存じます。研究活動における大きな節目となる、非常に意義深い受賞であると感じております。関西コロキアムにおいてプラズマ支援酸化物半導体デバイスに関する研究成果を発表し、多くの貴重なご意見や技術的な議論をいただけました。このことは、今後の研究を進めるうえで大きな指針となります。

本研究の遂行にあたり、終始多大なるご指導を賜りましたBermundo准教授および浦岡教授、ならびに共著者の皆様に心より感謝申し上げます。本受賞を励みに、次世代エレクトロニクス応用に向けた持続可能な材料およびプロセス技術の研究に、今後も一層取り組んでまいります。